拓荆科技取得半导体专利,提升等离子体特性检测结果的准确性

拓荆科技取得半导体专利,提升等离子体特性检测结果的准确性
2024年06月07日 11:25 金融界网站

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本文源自:金融界

金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,拓荆科技股份有限公司取得一项名为“反应腔内等离子体特性的检测系统及半导体器件的加工设备“,授权公告号CN221102002U,申请日期为2023年9月。

专利摘要显示,本实用新型提供了一种反应腔内等离子体特性的检测系统以及一种半导体器件的加工设备。所述反应腔内等离子体特性的检测系统包括:采样通路,用于采集所述反应腔的顶盖的第一电压信号,其中,所述顶盖被用作在所述反应腔内激发等离子体的射频电极,并接触交流驱动的加热丝;以及去耦合模块,连接所述采样通路,以获得所述第一电压信号,用于滤除所述第一电压信号中的交流噪声,以输出指示所述反应腔内的等离子体特性的第二电压信号。本实用新型可以滤除反应腔顶盖电压中的交流噪声,以提升等离子体特性检测结果的准确性。

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