海信家电申请半导体装置的制造方法和半导体装置专利，低半导体装置的导通压降和导通损耗，而且还可以保证半导体装置的开关性能_新浪财经

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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置的制造方法和半导体装置“，公开号CN202410134331.8，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置的制造方法和半导体装置，半导体装置的制造方法包括：制备第一导电类型的衬底；在第一导电类型的衬底上设置栅极沟槽，其中，栅极沟槽从第一主面在第一方向朝向靠近第二主面的一侧延伸设置；在衬底中设置第一导电类型的载流子积蓄层和第二导电类型的基极层，栅极沟槽贯穿基极层和载流子积蓄层，基极层第一方向上的深度为H1，H1满足关系式：H1＞1um。由此，通过在衬底中设置载流子积蓄层，并且保证基极层第一方向上的深度超过1um，从而不仅可以低半导体装置的导通压降和导通损耗，而且还可以保证半导体装置的开关性能。

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