金宏气体申请四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法专利，该专利技术能轻易去除四甲基硅烷原料中的2‑氯丙烷杂质_新浪财经

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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，金宏气体股份有限公司申请一项名为“四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法”，公开号CN202410328578.3，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种四甲基硅烷原料中2‑氯丙烷的去除方法，包括以下步骤：S11、将汽化的四甲基硅烷原料与Fe‑Na‑MOR分子筛催化剂在加热的条件下混合反应；S12、收集反应产物，降温液化，精馏，得到纯化后的四甲基硅烷。本发明的四甲基硅烷原料中2‑氯丙烷的去除方法，通过将四甲基硅烷原料与Fe‑Na‑MOR分子筛催化剂混合反应，从而将四甲基硅烷原料中的2‑氯丙烷催化反应成丙烯和HCl，丙烯和HCl在可以通过精馏与四甲基硅烷轻易分离，从而得到纯化后的四甲基硅烷，除去四甲基硅烷原料中2‑氯丙烷杂质。

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