中芯集成-U申请一种闪存单元及其制备方法专利，增强擦除性能_新浪财经

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金融界2024年6月4日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种闪存单元及其制备方法“，公开号CN202410175065.3，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，本申请公开了一种闪存单元及其制备方法，包括：提供基底，并在基底的表面形成浮栅材料层；在浮栅材料层的表面上形成具有开口的硬掩模层，开口露出浮栅材料层预定用于形成浮栅的浮栅区域；去除开口中露出的部分浮栅材料层，以形成内凹槽，其中内凹槽的内表面呈弧面状；以硬掩模层为掩膜，对开口露出的浮栅材料层进行刻蚀，以减小内凹槽两侧边缘表面与开口的侧壁之间的夹角；在内凹槽中形成栅间介质层；去除硬掩模层；去除栅间介质层四周的浮栅材料层，保留栅间介质层下方的浮栅材料层作为浮栅；本申请增加刻蚀工艺进一步减小内凹槽两侧边缘表面与开口的侧壁之间的夹角，使得在控制栅施加相同电压时得到更强的尖端电场，从而增强擦除性能。

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