中芯集成-U申请一种半导体器件及其制造方法、电子装置专利，能够消除掉双峰效应，提高了器件性能|电子_新浪财经

转自：金融界

本文源自:金融界

金融界2024年6月4日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置“，公开号CN202410173658.6，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，衬底包括有源区以及环绕有源区的场氧化层，场氧化层包括延伸至有源区中的鸟嘴区；对衬底进行离子注入以形成离子注入区，离子注入区至少包括位于有源区的第一离子注入区，第一离子注入区与场氧化层的鸟嘴区之间存在第一间隔；执行退火，以使离子注入区通过离子扩散形成扩散区，离子注入区和扩散区共同构成阱区，离子注入区的掺杂离子浓度大于扩散区的掺杂离子浓度，且扩散区包覆场氧化层的鸟嘴区；在有源区的衬底上形成栅极结构。本发明使包覆场氧化层的鸟嘴区的扩散区的掺杂离子浓度低于离子注入区的掺杂离子浓度，能够抵消掉由场氧化层的鸟嘴区延伸进有源区导致的阈值电压变大的影响，从而能够消除掉双峰效应，提高了器件性能。

股市回暖，抄底炒股先开户！智能定投、条件单、个股雷达……送给你>>