中触媒申请高纯氧化硅的干燥方法专利,能够有效降低干燥后二氧化硅固体中包裹的杂质含量

中触媒申请高纯氧化硅的干燥方法专利,能够有效降低干燥后二氧化硅固体中包裹的杂质含量
2024年06月04日 15:20 金融界网站

转自:金融界

本文源自:金融界

金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,中触媒新材料股份有限公司申请一项名为“一种高纯氧化硅的干燥方法“,公开号CN202410324543.2,申请日期为2024年3月。

专利摘要显示,一种高纯氧化硅干燥方法,属于二氧化硅制备工艺技术领域。该方法通过旋转真空干燥配合间歇式的超声作用能够有效回收烷氧基硅烷水解过程中产生的有机醇,有效降低硅溶胶中残留的有机醇量。进一步通过真空超声干燥,将真空与超声波配合,避免干燥过程中引入其它杂质,通过超声波的强声波作用促进残留在二氧化硅孔隙或者内部的气体、水分以及高沸点有机物杂质排出,能够有效降低干燥后二氧化硅固体中包裹的杂质含量,达到充分干燥二氧化硅的同时提高二氧化硅产品的纯度。

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