华映科技申请一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法专利,该专利技术可节省膜层、简化工艺,具有更高的光线透过率

华映科技申请一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法专利,该专利技术可节省膜层、简化工艺,具有更高的光线透过率
2024年06月04日 10:05 金融界网站

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金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“,公开号CN202410114416.X,申请日期为2024年1月。

专利摘要显示,本发明提供一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法,该阵列基板包括玻璃基板、底栅、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、顶栅和驱动电路走线、第一中间绝缘层、透明导电层及第三金属层;半导体层的第一半导体单元的两端分别设置有导体层,第二半导体单元与底栅相对应,第三半导体单元整体导体化后设置为像素电极;顶栅位于第一半导体单元上方;第三金属层的第一源极和第一漏极与对应导体层相连,第二源极和第二漏极与第二半导体单元相连,第二漏极另一端与像素电极相连,金属单元一与驱动电路走线相连。本发明将导体化后的半导体层设置为像素电极,可节省膜层、简化工艺,可仅设一道中间绝缘层,具有更高的光线透过率。

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