华映科技申请氧化物阵列基板及其制备方法专利,改善现有结构中寄生电容较大的问题

华映科技申请氧化物阵列基板及其制备方法专利,改善现有结构中寄生电容较大的问题
2024年06月04日 10:05 金融界网站

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金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种氧化物阵列基板及其制备方法“,公开号CN202410114339.8,申请日期为2024年1月。

专利摘要显示,本发明提供一种氧化物阵列基板及其制备方法,所述阵列基板包括玻璃基板、底栅、第一栅极绝缘层、半导体层、第二栅极绝缘层、顶栅和驱动电路走线、第一中间绝缘层、第一透明导电层、第三金属层、第二中间绝缘层及第二透明导电层;半导体层的第一半导体单元两端设有导体区,第二半导体单元与底栅相对应;顶栅位于第一半导体单元上方;第三金属层的第一源极、漏极与导体区相连,第二源极、漏极与第二半导体单元相连,金属单元一与驱动电路走线相连;顶栅对应膜层结构为驱动电路区TFT,底栅对应膜层结构为显示区TFT,驱动电路走线对应膜层结构为金属线区。本发明可改善现有结构中寄生电容较大的问题,具有成本低结构简单、薄膜利用率高的优势。

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