华映科技申请可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板专利,膜层结构少、光线透过率高、薄膜利用率高

华映科技申请可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板专利,膜层结构少、光线透过率高、薄膜利用率高
2024年06月04日 10:05 金融界网站

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金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“,公开号CN202410114469.1,申请日期为2024年1月。

专利摘要显示,本发明提供一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法,包括基板、底栅、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、顶栅和驱动电路走线、第一中间绝缘层、第一透明导电层、第三金属层、第二中间绝缘层及第二透明导电层;半导体层的第一半导体单元两端设有导体区,第二半导体单元与底栅相对应;顶栅位于第一半导体单元上方;第三金属层的第一源极、漏极与导体区相连,第二源极、漏极与第二半导体单元相连,金属单元一与驱动电路走线相连;顶栅对应膜层结构为驱动电路区TFT,底栅对应膜层结构为显示区TFT,驱动电路走线对应膜层结构为金属线区。本发明膜层结构少、光线透过率高、薄膜利用率高,可改善现有结构中寄生电容较大的问题。

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