【向新而行】揭秘超高功率密度LED器件中的“星”技术|国星光电_新浪财经

发光面积为1-2平方毫米的LED芯片

若要实现10瓦以上的功率输出

这对LED封装而言

无疑是一场“微缩版热量大考验”

但对国星光电而言

正是一次“创新技术亮剑时刻”

超高功率密度LED是大功率LED的细分领域，凭借小体积内实现高亮照明、高可靠性及长寿命等优势，逐渐在车用照明、车载HUD、舞台照明、特种照明等多个领域崭露头角，为市场带来了更智能、更便携、更高效的照明技术方案。

▲超高功率密度LED可实现更远距离、更高强度的光线投射，在汽车前照灯、舞台射灯等场景得到应用。示意图

超高功率密度LED虽然优势显著，但技术门槛较高，对封装材料的选择、封装工艺的设计以及散热系统等方面要求严格，目前市场上该类型器件产品仍以国外品牌为主导。

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打破技术壁垒

攻坚行业共性难题

作为国内LED封装领域的领军企业，国星光电积极践行广晟控股集团FAITH经营理念，聚焦主业、创新制胜，着力打破技术壁垒，助力加快国产化替代进程。

超高功率密度LED封装器件对散热设计的要求极高，通常需要在1-2平方毫米的发光面积内达到10-20瓦的功率。因此，如何有效降低热阻并提高热导效率，成为决定产品成功与否的关键因素之一。

聚焦超高功率密度LED光源封装的痛点，国星光电自主研发出热压共晶封装工艺，通过优化材料方案选配和工艺参数，使得器件的焊接空洞率小于5%，芯片推力高达15公斤以上，热阻低至1.1℃/瓦，实现器件的散热性能和可靠性处于行业领先水平，有效地解决了高功率密度LED因散热困难而导致的封装材料易失效、光源寿命短等共性难题。

热压共晶封装器件焊接X光衍射拍摄效果图

▲通过X光衍射检测数据得出，基于国星光电自主研发热压共晶封装工艺，器件焊接空洞率为1.3%，应用该工艺的系列器件整体焊接空洞率小于5％

以国星光电的车载陶瓷大功率LED器件为例，基于热压共晶封装工艺，器件的直径为3毫米，厚度为0.75毫米，发光面积功率密度可达约10瓦/平方毫米，产品光通量高达1900流明，实现在更小的发光面积内达到更高的光密度，同时器件稳定性佳、使用寿命长，可为车载照明等领域提供更加高效、可靠的LED光源解决方案。

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丰富产品布局

满足多样化应用需求

依托在超高功率密度LED封装技术的创新突破，目前，国星光电现已陆续推出基于热压共晶封装工艺的陶瓷3535W、4040W、5050R/G/B等一系列产品，并不断推动产品升级迭代，以满足市场对高光效高性能LED光源的需求。