Mini/Micro-LED及其他新型显示技术在技术突破和市场需求方面均取得了显著进展，市场前景看好。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。
期间，由国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、北京北方华创微电子装备有限公司、纳微朗科技（深圳）有限公司、苏州思体尔软件科技有限公司、元旭半导体科技股份有限公司等协办支持的“Mini/Micro-LED及其他新型显示技术”分会上，南方科技大学纳米科学与应用研究院助理教授黄杨，南京大学助理教授庄喆，苏州大学副教授王亚坤，中南大学林超宇，北京大学教授陈志忠，复旦大学信息科学与工程学院教授田朋飞，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员吕顺鹏，厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授李澄，西安交通大学王旭正等嘉宾们齐聚，共同探讨 Mini/Micro-LED及其他新型显示技术的发展。福州大学教授严群，九峰山实验室领域首席科学家闫春辉，北京工业大学教授郭伟玲共同主持了分会。
嘉宾主持人
严群
福州大学教授
闫春辉
九峰山实验室领域首席科学家
郭伟玲
北京工业大学教授
报告嘉宾
黄杨
南方科技大学纳米科学与应用研究院助理教授
南方科技大学纳米科学与应用研究院助理教授黄杨做了“对PeLED和QLED的射线光学极限外耦合效率的再思考”的主题报告，分享了机器学习结合DFT设计新型空穴传输层材料、传统空穴传输层NiO表面优化、QD壳层掺杂提升空穴注入能力等研究进展与成果。报告显示，机器学习结合DFT设计新型空穴传输层材料方面，首先建立了带隙预测模型，其预测结果与640种材料的计算结果高度一致；然后从5276种直接带隙半导体中筛选出带隙介于3.0-4.3 eV之间的518种宽带隙半导体；经过高通量密度泛函理论计算筛选，进一步识别出其中有2（9）种潜在的p-（n-）型传输层，提出了此类材料的设计方案。传统空穴传输层NiO表面优化方面，基于NiO反铁磁基态构型，结合实验和理论计算，我们发现SAM分子可以有效降低NiO表面O空位所引入深能级的影响，但并不能完全消除，为SAM分子提出进一步的优化建议。QD壳层掺杂提升空穴注入能力方面，对于壳层ZnS，Na元素是潜在的p型掺杂剂，可以有效提升ZnS的HOMO位置，加强空穴注入。
庄喆
南京大学助理教授
南京大学助理教授庄喆做了“基于有源TFT驱动的氮化镓基Micro-LED显示芯片研究”的主题报告，分享了带TJ的InGaN红色微型LED、灵活的RGB微型LED、柔性有源矩阵微型LED显示屏等研究进展，首次演示了InGaN RGB Micro LED显示器。报告显示，具有MBE再生TJ的InGaN基红色微LED，与AlGaInP红色LED相比，具有良好的温度稳定性。
王亚坤
苏州大学副教授
《量子点序构化调控助力高效电致发光器件》
林超宇
中南大学
《新型显示用集成超表面光场调控Micro-LED器件》
陈志忠
北京大学教授
北京大学教授陈志忠做了“Micro-LED侧壁刻蚀损伤：修复或隔离？”的主题报告，分享了氟等离子体处理减少Micro-LED侧壁损伤、激子与激子局域化效应减少Micro-LED侧壁损伤等研究进展，研究显示，F离子注入使得小尺寸Micro-LED在小注入下的亮度得到明显增加。其原因来自于载流子侧壁的电场的排斥作用，从而减少载流子在侧壁的复合。但是F离子注入会导致电压的下降。F离子处理微观作用机理和工艺优化在进一步的研究中。声子伴线在小注入和低温下出现，表明了激子和声子在量子阱边缘地区耦合。激子声子的耦合有助于小注入下的EQE的提升。激子复合几乎不受侧壁缺陷的影响。黄里斯因子的增加不利于抑制俄歇复合，但似乎对EQE提升有帮助，进一步的需要确认激子的作用，或者激子声子的耦合对EQE的影响。对于激子的作用，增加其结合能是根本的途径，需要较低的温度，较小的极化电场，更多的量子限制。而对于激子-声子的耦合，则在于量子阱应力的控制，这还需要和载流子的横向输运联系在一起。
田朋飞
复旦大学信息科学与工程学院教授
复旦大学信息科学与工程学院教授田朋飞做了“基于带宽2GHz绿光micro-LED的9Gbps可见光通信系统”的主题报告，分享了Micro-LED高速紫光通信、高速蓝光通信、高速绿光通信的研究进展。可见光通信技术可同时实现照明、定位和通信三种功能，6G 通信中的光通信是对射频通信的有力补充。6G 光通信应用场景需要进一步提高光通信速率。报告显示，基于micro-LED的通信速率，单通道micro-LED的高速通信可达11Gbps以上，结合波分复用可达25Gbps以上。串联紫光micro-LED阵列实现13.4 mW光功率与10.23 Gbps通信。自支撑衬底micro-LED高速无线光通信，目前达到10 Gbps速率均为串联器件，首次以单颗micro-LED器件超过10 Gbps。基于带宽2GHz绿光micro-LED的9Gbps可见光通信系统，10微米单颗器件带宽超过2GHz，20微米单颗器件带宽超过1.3GHz，20微米八颗串联与九颗串联器件带宽均超过800MHz。
吕顺鹏
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
《氮化物Micro-LED载流子输运与光提取研究》
李澄
厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授
厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授李澄做了“实时原位观测新型半导体光电材料中的缺陷“的主题报告，分享了表征方法相关的研究进展。涉及原位溶液退火同步辐射表征、荧光成像显微技术、Micro LED 尺寸效应、FLIM 超快荧光寿命成像系统、多物理场下的荧光成像显微技术等。报告显示，通过原位观测缺陷移动、构建缺陷迁移模型、精准调节缺陷等，实现高效稳定光电器件。
郭伟玲
北京工业大学教授
北京工业大学教授郭伟玲做了”用于Micro-LED的无转移图像化石墨烯透明电极技术“的主题报告，分享了LED中的无转移图案化石墨烯透明电极，Micro-LED中的无转移图案化石墨烯透明电极等研究进展。报告显示，研究提出了一种无转移图案化石墨烯的制备技术，制备的多层石墨烯具有高质量、高均匀性和高透射率，在电流扩散和改善电极接触方面发挥了良好作用。制备了以石墨烯为透明电极的GaN基近紫外大尺寸LED，其光学性能优于ITO透明电极的LED。制备了以石墨烯为透明电极的GaN基蓝色Micro-LED，石墨烯显著提高了LED的电学和光学性能。
王旭正
西安交通大学
西安交通大学王旭正做了”基于超表面的可应用于裸眼3D显示的Micro-LED显示技术“的主题报告，分享了基于金属纳米锥超表面的SP增强线偏振微LED、集成双功能元光栅的高效线偏振Micro LED等研究进展。报告显示，研究提出了一种基于金属纳米孔超表面的SP增强GaN基线偏振微LED，通过克服耦合距离的限制，显著提高了QW-SP耦合效率。与平面结构相比，PL光谱强度增加了3.17倍。此外，金属纳米酮超表面减少了蚀刻损伤，从而在不损失电性能的情况下提高了发光效率。通过采用元光栅结构进行损耗模式回收和基于激光干涉光刻的成本效益高的制造方法，还设计并制造了一种高效的GaN基线偏振微LED。该策略大大减少了能量损失，从而在LP LED的发光效率和偏振比方面实现了前所未有的提高。
（根据现场资料整理，仅供参考）
附：IFWS&SSLCHINA2024论坛介绍
2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州开幕。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者，共计2100余名代表注册参会。通过大会、16场主题技术分论坛、5场热点产业峰会、4场强芯沙龙会客厅主题对话、以及第六届先进半导体技术应用创新展（CASTAS）、POSTER展示交流等多种形式的活动，在近30个专题活动、230余个主题报告，台上台下展开探讨，从不同的角度分享前沿技术进展，交流探讨，观点碰撞，探求技术与产业化融合创新与发展之道。
IFWS&SSLCHINA2024论坛上还公布了“2024年度中国第三代半导体技术十大进展”和“9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准”。为行业发展做出了积极贡献的企业/单位颁发了2024年度推荐品牌奖。本届论坛共收到260余篇论文投稿，论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。现场展示116篇POSTER海报。经过程序委员会专家，以及参会人的投票，评选出了10篇最佳POSTER奖。在大会闭幕总结仪式现场，现场颁发了最佳POSTER一、二、三等奖及优秀海报奖。
（转自：第三代半导体产业）
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