转自：前瞻产业研究院
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本文核心数据：SiC、GaN电力电子和GaN微波射频器件市场规模，需求结构
1、第三代半导体材料市场需求概况
随着“碳达峰、碳中和”战略的推进实施，绿色、低碳、清洁能源等技术将加速应用，第三代半导体材料作为实现高效电能转换技术的重要支撑获得快速发展。
根据CASA公布的数据，2022年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值141.7亿元，较2021年增长11.7%。其中，SiC、GaN功率电子产值规模达74.3亿元，同比增长28.33%，衬底材料约5亿元，外延约5.8亿元，器件及模组约11.6亿元，装置约51.9亿元，其中衬底环节增速最快，达到35%。GaN微波射频产值达到67.4亿元，较上年持平，其中衬底约9.9亿元，外延3.9亿元，器件及模组11亿元，装置约 42.6亿元。
经初步核算，2023年我国SiC、GaN电力电子产值规模达85.4亿元，GaN微波射频产值达70亿元，我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现市场规模155亿元。
2、SiC、GaN功率电子领域需求分析
——需求结构：最大动力来自于新能源汽车市场
2022年国内市场增长的最大动力来自于新能源汽车市场(含充电桩)、光伏和储能。新能源汽车市场爆发带来车用半导体市场迅猛增长,“800V+SiC”高压平台的应用加速了SiC的渗透。另外两大增长动力来自于光伏和储能市场。
——电动汽车带动车用SiC市场规模高速增长
近两年，我国新能源汽车市场进入爆发期，车用半导体价值也高速增长。据中汽协数据，2022年新能源汽车产量同比增长96.9%，2023年同比增长30.3%。当前我国新能源汽车消费正从政策驱动向内生驱动转变，随着国产新能源车性价比不断提升，市场有望保持快速发展势头。而具有耐高压、低阻抗、无拖尾电流等优势的SiC器件成为首选。
CASA Research数据显示，2022年我国第三代半导体功率电子在电动汽车及充电桩市场规模约为68.5亿元，初步统计2023年市场规模达94亿元，同比增长37.5%，预计未来几年该领域将是第三代半导体功率电子市场增长的主要驱动力。
3、GaN微波射频领域需求分析
——需求结构：无线电基础设施需求占比最大
根据CASA的统计数据，2022年，我国5G基站用GaN射频的需求占比为的56%;安防与航天应用占比达42%。
——无线电基础设施是影响GaN微波射频器件市场规模主要因素
据工信部数据，2022年我国全年新建5G基站88.7万个，加上海外出口，带动无线基础设施领域的GaN微波射频市场达37.52亿元，初步统计2023年市场规模达39.2亿元。未来几年，随着毫米波频段使用许可的发放，中国有望成为全球最大的毫米波市场。中国联通发布《中国联通毫米波技术白皮书V3.0》，更新5G-A时代毫米波总体规划，2023年视频率政策情况进行毫米波网络场景化部署试验;2024年进行R18等关键能力试验验证;2025年进行毫米波创新应用部署。5G毫米波将发挥大带宽低延时优势，市场有望逐渐起量。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。
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