一年来首次扭亏,SK海力士能否靠AI芯片走出低谷?

一年来首次扭亏,SK海力士能否靠AI芯片走出低谷?
2024年01月25日 17:46 界面新闻

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  界面新闻记者 | 李彪

  1月25日,世界第二大存储芯片厂商、韩国巨头SK Hynix (以下称“SK海力士”)发布了2023年第四季度财报。

  其营收同步增长47.4%至11.3万亿韩元(约合84.5亿美元),营业利润达3460亿韩元(约合2.6亿美元),去年同期为亏损1.9万亿韩元(约合14.2亿美元)。这也是自2022年年末该公司出现巨亏后,首次扭亏为盈。

  资本市场对SK海力士的扭亏颇感“意外”。

  存储市场暴跌造成的存储厂商利润腰斩,从2022年一路延续至2023年。去年前三个季度,该公司一直处于亏损状态,且止跌回升的趋势并不十分明显。根据伦敦证券交易所集团汇总23位分析师的意见,预测公司第四季度亏损1920亿韩元。

  SK海力士之所以逆势增长,主要归因于先进制程存储芯片的订单剧增,特别是公司利用最新一代HBM技术开发的DRAM(动态随机存储内存,手机与电脑最常用的一种内存)存储芯片订单增加。

  HBM,全称为High Bandwidth Memory,是一种高带宽存储技术,其核心原理是通过3D堆叠技术把多个DRAM芯片连接组合为一体。采用此技术生产出的内存芯片不仅带宽高、功耗低,而且密度高、占用空间小,可以存储更多数据且传输速度更快。

  三星、SK海力士、美光目前占据全球DRAM内存市场超九成的市场份额,而SK海力士一直是业内最积极布局研发HBM技术的存储厂商,并做过四次迭代升级。三星、美光也都在加紧布局HBM技术及相关产品线,将之视作下一代DRAM内存芯片的进化方向。

  进入2023年后,人工智能大模型的横空出世不仅带动了算力需求暴涨,还使行业意识到越来越多的数据需要被存储,高带宽、大容量的HBM技术备受追捧。

  凭借先发优势,SK海力士此前数年都是英伟达HBM的独家供应商。但现在,英伟达为了建立一个稳定的供应链,计划引入更多HBM供应商,三星、美光的HBM3方案去年都已完成其产品验证。这种做法与苹果采用多个供应商以加强主导权类似。

  据SK海力士透露,公司生产的HBM3芯片销量同比增长超5倍。同时,公司预计将于今年上半年开始量产下一版本HBM,即HBM3E,并继续开发HBM4芯片。

  除HBM外,SK海力士主力产品DDR5 DRAM同比增长了4倍。在今年的CES上,公司也宣布将在一季度增加DRAM芯片产能。

  对于市场复苏相对缓慢的NAND Flash闪存产品线,SK海力士当下策略主要是降本增效,控制投资及相关支出费用,未来观望市场变化再调整生产计划。

  SK海力士CFO Kim Woohyun强调,公司将努力成为一家“AI存储芯片供应商”。

  在AI的强力助推下,存储芯片市场有望走出长达一年的低谷。就在前一天,光刻机巨头ASML的CEO Peter Wennink也判断,存储市场会在2024年重回增长,复苏的核心动力是AI激发HBM这样先进存储产能的巨大需求。

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