转自:证券时报·e公司
e公司讯,6月15日,集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上,泰科天润应用测试中心总监高远呼吁,要结合材料、设备、工艺、生产效率等多维度及从产业链整理发展的视角综合评估SiC MOSFET产品;另外,国产SiC MOSFET在特性、一致性、可靠性、应用验证与国际领先水平尚有差距,需要稳扎稳打做好持久战准备,跟上国际发展脚步不掉队就是胜利。据介绍,2019年泰科天润在长沙启动6英寸碳化硅晶圆厂,2021年向市场出货,今年年底产能将完成第二阶段扩产达到10万片/年。
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