|
本报讯(记者 尹永强)在昨日开幕的第七届中国国际高新技术成果交易会上，由高交会组委会、国家半导体照明工程攻关计划重大项目管理办公室、深圳市科技和信息局主办，方大(000055)具体承办的“LED背光源技术及其应用研讨会”顺利举行。这标志着，方大在我国半导体照明领域的突出成就已得到了国家主管部门及同行业的高度认可。
据悉，半导体是继白炽灯、荧光灯之后的第三代照明光源，而LED又是第三代的半导
体照明材料，具有节能、寿命长、体积小、环保无污染等特性，属于国家重点扶持和鼓励的高科技“绿色照明产品”。科技部副部长马颂德、国家半导体照明办公室主任吴玲等，均对方大在此领域的突出科技成果表示了赞许。
研讨会上，来自清华大学、南京大学、深圳大学和方大等的专家、学者，围绕LED背光源技术水平、产业现状及其应用前景进行了深入探讨，国家半导体照明工程专家组成员、方大半导体事业部总经理李刚分析了LED背光源技术现状和前景，详细介绍了方大在大功率芯片及其在背光源技术应用方面的研究成果。
据方大董事会秘书周志刚介绍，作为国内第一家大规模生产半导体发光材料和芯片的上市公司，方大经过近两年的努力已取得了半导体照明关键技术的突破，如在国内首次研制成功、并拥有自主知识产权的大功率高亮度半导体芯片，其单灯发光效率已达到国外先进公司2005年商用产品的指标。
目前，方大的半导体照明技术和产品已在各种特殊照明场合，以及各种便携式、台式、袖珍式照明设备和工具上得到广泛应用，获得良好的市场反馈。
2004年，方大实施深圳市高新技术示范化工程项目建设，顺利完成技术的全面产业化，建成了氮化镓(GaN)基半导体照明规模化生产基地，形成了一条从氮化镓(GaN)基LED外延生长到芯片制造直至终端市场推广应用等的完整高技术产业链，并于最近通过了深圳市发展和改革局的验收。目前，公司已具备每月制造4000万余颗以上的标准发光芯片及100万颗大功率半导体照明芯片的能力，成为国内主要生产和研发基地之一。
方大表示，将运用其在半导体照明材料和芯片技术及产品领域的特长与优势，结合自主发明的新型大功率芯片封装技术，进一步开展LED背光源技术及其应用的研究与开发，积极参与国家半导体照明发展路线图的规划，为国家半导体照明事业做出新的贡献。
方大A昨日收盘价5.69元，涨0.53%。
(证券时报)
新浪声明：本版文章内容纯属作者个人观点，仅供投资者参考，并不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。
| 
