设备成本渐成先进制程重要因素,Hyper NA EUV光刻机价格恐破万亿韩元大关

设备成本渐成先进制程重要因素,Hyper NA EUV光刻机价格恐破万亿韩元大关
2024年07月02日 11:14 中关村在线

近日,据媒体报道,荷兰光刻机制造公司ASML预计于2030年左右推出的下一代光刻设备Hyper (0.75) NA EUV光刻机价格可能会突破一万亿韩元(约合人民币52.67亿元)。目前,传统的Low (0.33) NA EUV光刻机单台约为2500亿韩元(约合人民币13.17亿元),已开始交付的High (0.55) NA EUV光刻机单价已升至4000~5000亿韩元(约合人民币21.07 ~ 26.34亿元)。

考虑到光刻机越发昂贵,设备成本问题已成为各先进制程代工厂规划未来工艺时的重要考虑因素。台积电在其首个BSPDN节点A16上不会采用High NA EUV;三星电子在SF1.4节点的宣传中未提到High NA;对High NA最积极的英特尔也将实际应用放到了Intel 14A上。接近三星电子的消息人士称,随着Hyper NA EUV出现在ASML的产品规划上,三星电子也在审查自身路线图。

消息人士认为,考虑到最终将过渡到Hyper NA,积极引入已很昂贵的High NA EUV光刻机可能是一个糟糕选择。三星电子不排除跳过High NA直接转向Hyper NA的可能性。台积电则考虑充分发挥其在多重图案化上的技术积累,并尽可能使用现有Low NA设备实现先进工艺,推迟High / Hyper NA 的导入。

荷兰光刻机制造公司ASML预计于2030年左右推出新一代光刻设备Hyper (0.75) NA EUV光刻机,其价格预计将突破一万亿韩元(约合人民币52.67亿元)。该公司表示,传统的Low (0.33) NA EUV光刻机单台约为2500亿韩元(约合人民币13.17亿元),而目前已经交付的High (0.55) NA EUV光刻机单价已升至4000~5000亿韩元(约合人民币21.07 ~ 26

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