英飞凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。
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这些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封装，不仅简化了设计，还降低了组装成本。在10 V电压下，600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷（Qg）较CFD7降低了18%，较 P7降低了33%。在400 V电压下，该产品系列的输出电容COSS较CFD7和P7降低了50%，关断损耗（Eoss） 较CFD7和P7降低了 12%，反向恢复电荷（Qrr）较CFD7降低了3%。此外，这些器件的反向恢复时间（trr）更短，热性能较上一代产品提高了14%至42%。
600 V CoolMOS™ 8 600 V QDPAK TSC凭借这些特性，该系列器件能够在LLC和ZVS 相移全桥等软开关拓扑结构中实现高效率和高可靠性。它们在 PFC、TTF及其他硬开关拓扑中同样具有出色的性能水平。由于优化了RDS(on)，这些半导体器件拥有更高的功率密度，能使采用硅基超级结（SJ）技术的产品降低到7 mΩ的个位数值。
供货情况
600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET样品现已推出。
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