全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”）近日宣布，已于2024年6月20日完成对氮化镓（GaN）功率半导体全球供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收购。随着收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产品和相关参考设计，以满足对宽禁带（WBG）半导体产品日益增长的需求。
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与传统的硅基器件相比，GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料具有出色的功率效率、更高的开关频率和较小的占用空间，因此被视为下一代功率半导体的关键技术。受电动汽车（EV）、变频器、数据中心服务器、人工智能（AI）、可再生能源、工业电源转换和消费应用等需求的推动，GaN和SiC产品预计在未来十年内都将快速增长。
Chris Allexandre, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“通过集成两家公司技术的交钥匙参考设计，客户可以立即从新的GaN产品中受益。将GaN添加到我们的产品阵容中也加强了我们致力于开发让人们的生活更轻松的产品和技术的承诺。提供强大且可持续的电源解决方案，节省能源、降低成本并最大限度地减少对环境的影响，正是我们实现这一目标的途径。”
投资电源业务是瑞萨实现可持续长期增长战略的重要组成部分。瑞萨近期为巩固这一细分市场而采取的其他举措包括：开设专门生产电源产品的300mm晶圆厂甲府工厂；在高崎工厂增加一条新的SiC生产线；并与Wolfspeed达成协议，确保未来10年SiC晶圆的稳定供应。随着GaN技术现已成为瑞萨产品阵容的一部分，瑞萨准备提供更全面的电源解决方案，以满足广泛应用领域客户不断变化的需求。
在完成收购Transphorm的同一天，瑞萨推出了15款全新成功产品组合，这些可立即投入市场的参考设计将新的GaN产品与瑞萨的嵌入式处理、电源、连接和模拟产品相结合。其中包括将Transphorm的汽车级GaN技术，用于车载电池充电器以及电动汽车的三合一动力系统解决方案。
Transphorm成立于2007年，总部位于美国加利福尼亚州戈利塔，源自加州大学圣巴巴拉分校和宽紧带行业，以独特的技术创新为基础。Transphorm是GaN半导体领域的创新者，设计、制造和销售高性能、高可靠性的GaN电源产品，广泛适用于各种高压电源转换应用。
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