致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商—大联大控股近日宣布,其旗下诠鼎推出基于英诺赛科(Innoscience)InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片的300W电源适配器方案。
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![图示1-大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的展示板图](http://n.sinaimg.cn/spider20240619/68/w624h244/20240619/c374-0c1741d0145d2a41a74ed8124573471d.png)
![图示1-大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的展示板图](http://n.sinaimg.cn/spider20240619/89/w620h269/20240619/4579-58bca8c4cc11a3db16489537091a89ea.png)
随着移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升,氮化镓(GaN)技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅(Si)相比,GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压,因而能够在紧凑的空间体积内提供更高的功率密度。针对这一特点,大联大诠鼎基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W电源适配器方案,可为用户带来高效、轻便的充电体验。
![图示2—大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的场景应用图](http://n.sinaimg.cn/spider20240619/290/w654h436/20240619/6fe4-67392b767d8e80ffb8304080e7e26674.png)
INN700D140C和INN700DA140C均耐压为700V的增强型氮化镓晶体管,其中,INN700D140C采用DFN8*8封装,INN700DA140C采用DFN5*6封装,两款器件均适用于高功率应用。它们支持极高的开关频率,具有零反向恢复电荷,可大幅减少切换损耗,从而提高整体能效。同时,器件拥有极低的栅极电荷和输出电荷,可进一步优化驱动功率消耗和提升开关效率。
![图示3—大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的方块图](http://n.sinaimg.cn/spider20240619/182/w716h266/20240619/dc30-10a54a5331f69d8cf7f8d1a1cd595cd7.png)
本方案应用领域广泛,不仅可以为手机、平板、笔记本电脑提供快速充电功能,还能够满足家庭场景中对高功率设备的充电需求,例如电视、电动工具、游戏机、LED灯和投影仪等。借助INN700D140C和INN700DA140C,方案在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。
核心技术优势:
● 同等规格下功率密度和效率达到业内先进水平;
● 选用一块双面板,加工简单,为客户提供低成本设计方案;
● 开拓大功率氮化镓电源应用在适配器市场中的应用。
方案规格:
● 尺寸:158mm×60.5mm×20mm;
● 效率:95.72%@230Vac;
● 功率密度:25.7W/in³。
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