真我GT6细节曝光：首发超百瓦闪充+硅负极大电池

【TechWeb】去年12月，realme推出了搭载第三代骁龙8移动平台的越级旗舰——真我GT5 Pro。该机不仅拥有强大性能和顶级影像，还在屏幕、闪充续航、外观设计等方面带来全面超越的旗舰体验，成为真我迄今为止最强GT系列产品，一经上市便受到了用户的广泛好评。而现在有最新消息，近日有越来越多的数码博主开始带来了该系列新一代旗舰的更多配置细节。

据知名数码博主@数码闲聊站 最新发布的信息显示，他已经摸到了真我的性能梦想机，与此前曝光的消息基本一致，该机的命名确定为真我GT6，是这波新机中最简短的产品名。该机将首发独占超百瓦闪充+硅负极大电池，相比前代电池更大的同时，但机身却还轻薄了不少。同时，该机的后置相机模组的DECO尺寸也变小了，是一款手感与质感都不错的直屏骁龙8 Gen3机型。

其他方面，根据此前曝光的消息，全新的真我GT6将采用一块联手京东方打造的顶级直屏，这款屏幕峰值亮度高达6000尼特，支持8T LTPO技术、AI绿野护眼、硬件级低蓝光、2160Hz PWM调光和3Pulse/1Pulse类DC调光，堪称“最近这波新机中堆料最猛的直屏”，表现值得期待。硬件上，该机将搭载骁龙8 Gen3旗舰平台，还将内置新硅负极大电池，据悉，硅基负极材料以超高的能量密度著称，能够在同等重量下，提供远超传统石墨的电量，用户或许从此可以彻底摆脱困扰多年的续航焦虑。

据悉，全新的真我GT6将在7月登场，作为一款定位比GT Neo6更高的产品，该机将在屏幕、性能、影像等方面更上一个台阶。更多详细信息，我们拭目以待。