快科技9月3日消息,据南京发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京),成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。
这也是我国在这一领域的首次突破,打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。
沟槽型碳化硅MOSFET芯片因其卓越的性能,如更低的导通损耗、更好的开关性能和更高的晶圆密度,一直被视为半导体技术的前沿。
然而,由于碳化硅材料的高硬度和制备过程中的复杂性,沟槽型碳化硅MOSFET芯片的制造工艺一直是一个难题。
技术总监黄润华指出,碳化硅材料的硬度非常高,制造沟槽型结构需要极高的刻蚀精度和损伤控制,这对碳化硅器件的研制和性能有着决定性的影响。
为此研发团队通过不断的尝试和创新,最终建立了全新的工艺流程,解决了制造过程中的难点,成功制造出了性能更优的沟槽型碳化硅MOSFET芯片。
据黄润华介绍,与平面型碳化硅MOSFET相比,沟槽型产品在导通性能上提升了约30%,这一技术突破预计将在一年内应用于新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域。
而且这一成果的应用还将为消费者带来直接的好处,例如在新能源汽车中,使用碳化硅功率器件可以提升续航能力约5%,同时降低芯片使用成本。
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