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IT之家 7 月 17 日消息，安徽大学研究团队制备出世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元，这一成果有望为未来高密度、高速度的存储技术提供关键支持。
2009 年，德国科学家在一类手性金属磁性材料中，发现一种具有非平庸拓扑特性的磁结构，称之为磁斯格明子。其具有尺寸小、稳定性高、电流易操控等优点，有望作为下一代数据载体，用于构筑新型的磁电子学器件。
但如何让磁斯格明子在纳米尺度的赛道中稳定、可控地移动，一直是科研人员面临的难题。
▲ 单个 80 nm 磁斯格明子在 100 nm 赛道中的一维、稳定、高速运动安徽大学研究团队发展了器件结构单元聚焦离子束加工制备技术，设计制备出厚度均匀、边界 / 表面平整、非晶层厚度小于 2 nm 的高质量 FeGe 纳米条带（长度：10 μm、宽度：100 nm）。
通过控制电流脉冲宽度及电流密度，利用赛道边界的边缘态磁结构稳定斯格明子运动，实现了单个 80 nm 大小的磁斯格明子在 100 nm FeGe 赛道中的一维、稳定运动。
相关研究成果发表于《自然 — 通讯》，IT之家附论文链接如下：
https://www.nature.com/articles/s41467-024-49976-6
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