拓荆科技上市首日涨逾28%,大基金持股26%,背靠中芯国际

拓荆科技上市首日涨逾28%,大基金持股26%,背靠中芯国际
2022年04月20日 21:32 市场资讯

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【概述】

泡财经获悉,4月20日,国产半导体设备厂商拓荆科技(688072.SH)正式登陆上海证券交易所科创板。发行价格为71.88元/股,发行数量为3161.98万股,成功募资约22.73亿元(扣除发行费用后募集资金净额约为21.28亿元),相比之前的计划超募了12亿元。

根据此前的招股计划,拓荆科技拟募资约10亿元,主要用于先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目、高端半导体设备扩产项目及补充流动资金。

【解读】

近日,新股行情不佳,弃购较多,拓荆科技成为难得的“惊喜”。

4月20日,两只科创板新股峰岹科技、拓荆科技上市。截至收盘,前者大跌19.27%,后者则涨逾28%。在发行阶段,上述两股均存在网上弃购。其中,拓荆科技弃购数量153.63万股,弃购金额1.1亿元,弃购金额略低于峰岹科技的1.497亿元。

拓荆科技今日开盘后,股价一度大涨46%,涨至104.96元/股,截至收盘股价回落至92.30元/股,涨幅28.41%,市值116.74亿元。盘中40%高点卖出的话,中一签大约赚可14000元。

拓荆科技本来并不被看好,根据拓荆科技的发行股数计算,公司首日发行的市值接近90亿,同时其发行价为71.88元/股,与其同日申购的英集芯的发行价仅为拓荆科技的三分之一。

股民称,原计划亏一万,最后挣一万四,相当于挣了两万四。

拓荆科技是国产薄膜沉积设备龙头企业,也是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备、SACVD设备厂商。主要产品有等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个系列。

薄膜沉积是芯片制造的核心工艺环节,晶圆厂通过这种技术制造芯片衬底上的微米或纳米级薄膜材料层。薄膜沉积设备、光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造的三大主设备。目前这一市场基本被应用材料、泛林半导体、东京电子等国际龙头占据,是国产半导体的“卡脖子”环节。

2018-2020年,拓荆科技营收分别为0.7亿元、2.5亿元、4.3亿元、3.7亿元,归母净利润分别为-1.03亿元、-0.19亿元、-0.11亿元。2021年公司营业收入为7.58亿元,同比增长73.99%,净利润0.68亿元,实现扭亏为盈,但这主要得益于政府补贴,2021年度计入当期损益的政府补助金额为1.56亿元,扣非净利润依然为亏损。

拓荆科技表示,这主要由于半导体设备行业技术含量高,研发投入大,产品验证周期长,公司需要持续进行了大量的研发投入所致。

从各类产品的产量、销量及销售收入占比来看,PECVD仍是产销量及营收占比最高的。其中,PECVD的销售收入在总营收当中的占比一直都是在77%以上。ALD、SACVD设备的产销规模较小,在营收当中的占比也较小。

目前薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面,行业基本由美国应用材料(AMAT)、荷兰先晶半导体(ASMI)、美国泛林半导体(Lam)、日本东京电子(TEL)等国际巨头垄断。2019年,ALD设备龙头东京电子(TEL)和先晶半导体(ASMI)分别占据了全球31%和29%的市场份额;而应用材料(AMAT)则基本垄断了PVD市场,占85%的比重;在CVD 市场中,应用材料(AMAT)、泛林半导体(Lam)和 东京电子(TEL)三大厂商占据了全球70%的市场份额。

随着半导体行业整体景气度的提升,全球半导体设备市场呈现快速增长态势,拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。Maximize Market Research 预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模将从2020年的172亿美元扩大至2025年的340亿美元,保持年复合13.3%的增长速度。

拓荆科技的客户非常集中,2021年1-9月,前五大客户的销售金额占了收入的92.44%,这些客户主要是国内主流晶圆厂,如中芯国际、长江存储、华虹集团、厦门联芯、燕东微电子等。其中,中芯国际近两年多以来一直是拓荆科技的第一大客户。根据中国国际招投标网公布的信息,本土晶圆厂正在加大设备采购力度,本土晶圆厂建厂的热潮将一同引领中国半导体薄膜沉积设备的需求增长。

在上市发行前,国家集成电路基金为拓荆科技第一大股东,持股26.48%,第二大股东国投上海持股18.23%,第三大股东中微公司持股11.20%。IPO后,国家集成电路基金持有拓荆科技19.86%的股份,由于股权较为分散,拓荆科技无控股股东或实际控制人。

【相关公司业绩近况】

拓荆科技2021年营业收入7.58亿元,同比增长73.99%左右;归母净利润6800万元,同比增长696.10%,扣非后净利润-8200万元,同比减少43.57%。

本文首发于泡财经风口解读专题,如有转载,请注明出处。

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