蔚来汽车申请 IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并联的功率模块专利,解决全碳化硅 MOSFET 芯片制造的功率模块成本高、产量低问题

蔚来汽车申请 IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并联的功率模块专利,解决全碳化硅 MOSFET 芯片制造的功率模块成本高、产量低问题
2025年01月16日 12:51 金融界网站

金融界 2025 年 1 月 16 日消息,国家知识产权局信息显示,蔚来汽车科技(安徽)有限公司申请一项名为“IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并联的功率模块、电机控制器及车辆”的专利,公开号 CN 119297174 A,申请日期为 2024 年 10 月。

专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,具体提供一种 IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并联的功率模块、电机控制器及车辆,旨在解决全碳化硅 MOSFET 芯片制造的功率模块成本较高、产量低下的问题。为此目的,本申请的 IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并联的功率模块,包括安装底座,安装底座上设置有呈阵列分布的半导体模块,半导体模块包括上桥臂机构、下桥臂机构和基板,上桥臂机构和下桥臂机构串联形成半桥结构;上桥臂机构包括 IGBT 芯片组、碳化硅 MOSFET 芯片组和上桥栅极信号端子,上桥臂机构的碳化硅 MOSFET 芯片的栅极和 IGBT 芯片的栅极与上桥栅极信号端子连接;下桥臂机构包括 IGBT 芯片组、碳化硅 MOSFET 芯片组和下桥栅极信号端子,下桥臂机构的碳化硅 MOSFET 芯片的栅极和 IGBT 芯片的栅极与下桥栅极信号端子连接。

天眼查资料显示,蔚来汽车科技(安徽)有限公司,成立于2020年,位于合肥市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1800000万人民币,实缴资本600000万人民币。通过天眼查大数据分析,蔚来汽车科技(安徽)有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目19次,知识产权方面有商标信息2130条,专利信息2665条,此外企业还拥有行政许可20个。

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