投资者提问:
董秘您好,公司氮化镓(GaN)外延材料及器件下游客户是哪些?谢谢
董秘回答(赛微电子SZ300456):
您好,GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别,因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体材料,与第一、二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围;但这并不意味着公司不再关注GaN领域,公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓(GaN)业务的发展。谢谢关注!
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