投资者提问：董秘你好，能否普及下MOSFET和IGBT功率半导体器件在行业...|IGBT_新浪财经

投资者提问：

董秘你好，能否普及下MOSFET和IGBT功率半导体器件在行业内目前制造成本情况，就目前哪种成本更高毛利率低。

董秘回答(捷捷微电SZ300623)：

尊敬的投资者，您好！感谢您的关注。MOSFET与BJT区别：MOSFET是电压驱动，双极型晶体管（BJT）是电流驱动。（1）只容许从信号源取少量电流的情况下,选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。（2）MOS管是单极性器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。（3）有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。（4）MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。（5）MOS管输入阻抗大，低噪声,MOS管较贵，三极管的损耗大。（6）MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关控制。MOSFET与IGBT区别：IGBT芯片=MOSFET+BJT。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效管）组成的复合功率半导体，兼备了双极型晶体管的高耐压和MOSFET输入抗阻高的特性，因此IGBT适用于高电压、大电流场合（以上内容仅供参考，摘自：《方正证券-电子行业专题报告：MOSFET行业研究框架》）。关于MOSFET和IGBT功率半导体器件在行业内目前的制造成本以及毛利率情况还需参考具体产品的客户及下游领域等其他因素。谢谢！

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