投资者提问：高管好，公司8月份时公告：拟定增募资 5亿，用于碳化硅功率器件...

投资者提问：

高管好，公司8月份时公告：拟定增募资 5亿，用于碳化硅功率器件的研发和产业化项目，用于新能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目。请问一下，目前该两项进展如何？肖特基二极管与IGBT是指同一种器件吗？有什么区别？谢谢。

董秘回答(民德电子(23.510, -1.33, -5.35%)SZ300656)：

您好，感谢您的提问！对于您的问题分别回复如下： 1、公司2021年向特定对象发行股份项目，已于2021年11月3日通过深交所审核中心审核，后续尚需获得中国证监会作出同意注册的决定后方可实施。另，关于碳化硅功率器件研发和产业化项目，公司控股子公司广微集成核心技术团队长期从事第三代半导体功率器件研发和产业化工作，具有扎实的理论基础和丰富的产业化经验，公司后续将在自主可控供应链基础上稳步推进碳化硅功率器件的产业化。 2、肖特基二极管与IGBT不是同一种器件。 （1）肖特基（Schottky）二极管，是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，具有反向恢复时间极短，正向导通压降低的特点，其多用作高频、低压、大电流的整流二极管、续流二极管、保护二极管等。公司目前主要量产产品沟槽型肖特基二极管，采用先进的沟槽技术和终端技术，实现了高电压、低正向压降、高可靠性等特点。 （2）IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，由BJT（双极结型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，同时具备双极型晶体管和场效应管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点。公司控股子公司广微集成核心技术团队在IGBT领域有着丰富的研发和产业化经历，后续将在自主可控供应链的基础上逐步实施产业化。 感谢您的关注！