京东方Ａ获得发明专利授权：“辐射探测器、操作辐射探测器的方法以及制造辐射探测器的方法”|光传感器_新浪财经

证券之星消息，根据企查查数据显示京东方Ａ（000725）新获得一项发明专利授权，专利名为“辐射探测器、操作辐射探测器的方法以及制造辐射探测器的方法”，专利申请号为CN201980002128.2，授权日为2024年6月11日。

专利摘要：提供了一种具有多个像素的辐射探测器。多个像素中的相应一个像素包括：基底基板；薄膜晶体管，其位于所述基底基板上；绝缘层，其位于所述薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧；光传感器，其位于所述绝缘层的远离所述基底基板的一侧；钝化层，其位于所述光传感器的远离所述基底基板的一侧；闪烁层，其位于所述钝化层远离所述基底基板的一侧；以及反射层，其位于所述闪烁层的远离所述基底基板的一侧。所述光传感器包括与所述钝化层直接接触的第一极性层。所述第一极性层的除了所述光传感器内部的侧面之外的所有侧面与所述钝化层完全直接接触。

今年以来京东方Ａ新获得专利授权1740个，较去年同期增加了43.21%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了113.2亿元，同比增1.97%。

数据来源：企查查

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