东吴证券发布研究报告称，通过对产业链主要玩家减产动作、库存及价格开始见底反弹等观测，认为当前存储行业拐点已至，并且在部分DRAM价格上涨、NAND Flash wafer合约价成功拉涨、国产化主线确定等催化下，该行在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速。伴随下游AI服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动，基于产业配套及国产化替代等逻辑，该行认为存储产业投资重点看三条主线：1)龙头厂商。2)国产化主线。3)建议关注国内存储芯片材料设备、设计、晶圆及代工厂、模组、封测等产业链相关厂商。
东吴证券主要观点如下：
存储行业周期拐点确立，国产化进程加速：
伴随需求回暖、单设备存储容量提升以及备货潮，存储市场规模逐步恢复增长。存储颗粒2023Q3价格环比跌幅收敛，部分产品已出现涨价现象。DRAM目前跌价过多的低价颗粒已出现涨价，且合约价后续跌幅有限，DDR4部分产品的现货价格分别于8月底及9月触底后出现反弹迹象，环比8月涨幅0%~10%，市场逐步回暖。此外，NAND Wafer相继强势拉涨，并且上游的涨价有望持续发酵。龙头大厂三星等酝酿涨价背景之下，国内存储厂商也陆续跟进。国产厂商DRAM和NAND的技术水平向海外主流水平靠近，份额占比逐步提升，存储国产化主线确立。
存储厂商减产计划持续，库存拐点开始显现：
海外大厂稼动率持续下降助力加速库存去化，根据TrendForce数据显示，2023年Q2三星/美光/海力士的稼动率分别下降至77%/74%/82%，海力士与美光23年Q2的资本开支分别同比下降62%/40%，并加速布局HBM新产品。此外，2023年中报数据显示大部分模组厂库存原材料环比增长，绝大多数模组厂库存周转天数环比有所下降，模组厂开始备货，预期未来量价齐升;部分IC厂商库存商品环比减少，存货周转天数环比有所下降，库存去化效果良好，效益有望下半年显现。另外DRAM和NAND的全球市场规模从2023Q2开始环比提升，DRAM2023Q2全球市场规模环比提升20.4%，NAND2023Q2全球市场规模环比提升7.4%。伴随下游需求逐步回暖，存储市场供过于求与存储器价格下跌情形逐步扭转，各厂家库存水位有望逐步正常化，行业业绩有望恢复增长态势。
消费电子、AI服务器、车载等多领域助力存储行业回暖：
消费电子行业需求回暖、AI浪潮袭来与汽车市场景气度上升将推动存储行业回暖。2023Q2笔电市场需求连续六个季度以来首次恢复成长，智能手机出货量同比降幅收窄，TWS耳机Q2实现环比增长，可穿戴设备市场中国产品牌份额持续提升。2023年全球AI服务器存储市场规模为76亿美元，预计2026年能达到492亿美元，23-26年CAGR为86.4%;根据Yole数据，2027年车载存储市场规模达到125亿美元，2021-2027年CAGR为20%。消费电子、AR/VR新品、AI服务器和车载等领域的增量拉动了NAND和DRAM存储器的需求回暖。
风险提示：下游复苏不及预期风险;存储价格反弹不及预期风险;宏观经济形势变化风险;龙头厂商减产不及预期风险。
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