东微半导申请半导体超结功率器件专利，形成p‑n结二极管结构|二极管_新浪财经

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金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体超结功率器件“的专利，公开号CN202211649969.2，申请日期为2022年12月。

专利摘要显示，本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型半导体层，位于所述n型半导体层内的多个p型柱；位于所述n型半导体层内且位于所述p型柱顶部的p型体区，位于所述p型体区内的第一n型源区和第二n型源区；靠近所述第一n型源区一侧且位于所述n型半导体层之上的第一栅极和第一栅介质层，所述第一栅极外接栅极电压；靠近所述第二n型源区一侧且凹陷在所述n型半导体层内的第二栅极和第二栅介质层；与所述第一n型源区和所述第二栅极电性连接的源极金属层，所述源极金属层与所述p型体区之间形成p‑n结二极管结构。