晶合集成申请图像传感器专利,能够制造具有不同光电二极管的图像传感器

晶合集成申请图像传感器专利,能够制造具有不同光电二极管的图像传感器
2024年06月21日 13:05 金融界网站

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本文源自:金融界

金融界2024年6月21日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“图像传感器的制造方法及图像传感器“,公开号CN202410641154.2,申请日期为2024年5月。

专利摘要显示,本申请公开了图像传感器的制造方法及图像传感器,制造方法包括:提供一衬底,衬底包括设置在其顶部的刻蚀停止层;在刻蚀停止层的表面上形成第一层叠结构,第一层叠结构的不同区域中层叠设置不同数量的半导体材料层;刻蚀第一层叠结构至刻蚀停止层,以形成隔离结构且使得第一层叠结构中形成由隔离结构隔离出来的光电二极管区域。本申请能够制造具有不同光电二极管的图像传感器,并且无需采用高能量离子注入方式形成光电二极管区域,因而避免了高能量离子注入方式导致的衬底损伤和串扰加重的问题。

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