中微公司申请基座、等离子体刻蚀装置及基座的制备方法专利，降低ESC制备工艺的难度，使其适用于高温制备工艺_新浪财经

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金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“基座、等离子体刻蚀装置及基座的制备方法“，公开号CN202211635294.6，申请日期为2022年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基座、等离子体刻蚀装置及基座的制备方法，所述基座包括：陶瓷板，陶瓷板包括顶面和底面，顶面用于放置基片；依次设置在底面上的电极层，绝缘层和粘接层，绝缘层覆盖电极层；基板，其位于粘接层的下侧；适配板，其位于粘接层和基板之间，适配板与陶瓷板的热膨胀系数相匹配。本发明能够降低ESC制备工艺的难度，并使其适用于高温制备工艺。