中微公司申请半导体零部件及其制造方法专利,该制造方法能够在待处理面上形成耐腐蚀涂层,且能够减少颗粒污染

中微公司申请半导体零部件及其制造方法专利,该制造方法能够在待处理面上形成耐腐蚀涂层,且能够减少颗粒污染
2024年06月21日 11:05 金融界网站

转自:金融界

本文源自:金融界

金融界2024年6月21日消息,天眼查知识产权信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为“半导体零部件及其制造方法“的专利,公开号CN202211635268.3,申请日期为2022年12月。

专利摘要显示,一种半导体零部件及其制造方法,其中,制造方法包括:提供零部件本体,其包括待处理面,所述零部件本体内设有通孔;在所述通孔内形成牺牲层;在所述牺牲层的表面以及待处理面上形成耐腐蚀涂层;去除所述牺牲层和牺牲层表面的耐腐蚀涂层。所述制造方法能够在所述待处理面上形成耐腐蚀涂层,且能够减少颗粒污染。

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