长光华芯取得多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法专利，降低发光结构最终的远场发散角|反射镜_新浪财经

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金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司取得一项名为“一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法“，授权公告号CN118040474B，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本申请公开了一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中一种多结垂直腔面发射半导体发光结构包括：衬底；位于衬底一侧且依次堆叠设置的第一布拉格反射镜、谐振腔、第二布拉格反射镜、欧姆接触层和P面电极；谐振腔包括至少两个有源层，相邻的有源层之间通过隧道结层连接；每一有源层远离衬底的一侧设置有氧化层，每一氧化层设置有开口区域；P面电极包围的出光区设置有环形凹槽，环形凹槽内覆盖有调制金属层。本申请公开的一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，通过设计环形凹槽并在环形凹槽内形成调制金属层，引入了外延结构之外的损耗层，降低发光结构最终的远场发散角。