IT之家 1 月 5 日消息,外媒SamMobile发文,透露联发科已逐步将重心移向开发下一代天玑 9500芯片,相关芯片将于今年末至明年初亮相。
最初联发科计划相关芯片采用台积电2nm工艺制造,但考虑到相关工艺价格高昂,且苹果同样将在 M5 系列芯片中引入相关工艺占用产能,因此联发科出于成本和产能考虑,选择 N3P 工艺制造天玑 9500。
据介绍,台积电的 2nm 工艺引入了一种新的晶体管结构 —— 环绕栅极(IT之家注:Gate-All-Around, GAA)。GAA 晶体管通过垂直排列的水平纳米片,在四个侧面包围通道,而前代的鳍式场效应晶体管(FinFET)仅能覆盖三面。GAA 晶体管具有更低的漏电率和更高的驱动电流,从而提升了性能。
而如今天玑 9500 将采用 N3P 工艺,虽然N3P 的能效可能不如台积电新一代 2nm 制程节点,但仍然比天玑 9400 使用的 N3E 有所改进,具体来说,天玑 9500 据称将包括两个 Arm Cortex-X930 超大核和六个 Arm Cortex-A730 大核,频率将超过 4GHz,并支持可扩展矩阵扩展(SME)。
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