镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶|半导体_新浪财经

10月25日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）宣布在氧化镓晶体生长领域取得了新的技术突破。该公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，并采用垂直布里奇曼法（VB），成功生长出2英寸的氧化镓单晶，这是国内首次实现此项技术突破。

VB法的优势分析

VB法在氧化镓衬底制造领域展现出显著优势，正在被全球领先的氧化镓制造商广泛采用。VB法相比传统方法有以下四大优势：

成本优势：VB法无需使用昂贵的铱坩埚，成本最多可降至传统生长方法的1/50。

质量提升：VB法在空气气氛下生长单晶，有效抑制氧化镓的高温分解，减少因坩埚腐蚀而导致的晶体缺陷。

晶体质量：VB法温度梯度较小，减少了因热应力引起的位错，使得晶体质量更高。

自动化与稳定性：VB法不需控制晶体直径，降低了技术难度，且具有高稳定性，便于实现自动化控制。

镓仁半导体自研VB设备的优势

今年9月，镓仁半导体推出了全新的氧化镓专用晶体生长设备，不仅能够满足高温和高氧环境的需求，还实现了全自动化的晶体生长，减少了人工干预，大幅提升了生产效率和晶体质量。该设备支持多种不同晶面的单晶氧化镓生产，具备从2英寸升级至4英寸单晶的能力，以适应外延技术和器件需求的不断提升，为高校、科研机构及企业用户提供科研和生产支持。

打破技术封锁，支撑国家重大需求

镓仁半导体的这一技术突破，不仅打破了西方国家在氧化镓设备和材料领域的技术封锁，还为我国的重大需求提供了有力支撑。公司将持续创新，致力于完善氧化镓产业链，为中国半导体行业的自主发展提供坚实保障。

镓仁半导体表示，将继续致力于氧化镓技术的研发和应用，为我国在新材料和半导体产业的发展提供高质量的产品和技术支持。这一突破对我国半导体产业链的完整性和自主创新能力具有重要意义，为未来的发展奠定了坚实基础。

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