DRAM现货市场,年底前反弹无望?

DRAM现货市场,年底前反弹无望?
2024年10月11日 18:46 网易新闻

存储芯片,尤其是DRAM和NAND闪存的价格持续震荡,正在为众多企业带来运营压力。

根据TrendForce最新内存现货价格趋势报告,DRAM方面,国庆黄金周期间现货市场交易量持续下滑,年底前难有反弹迹象;NAND Flash方面,买家采购意愿不强,进一步加剧市场供应过剩,具体如下:

01 DRAM现货价格

目前正值国庆黄金周,现货市场成交量持续下滑,加上部分模组厂积极去库存,带动现货价格进一步下跌,现货市场供需格局不变,年底前难有反弹迹象,主流芯片现货均价(DDR4 1Gx8 2666MT/s)由上周的1.934美元下跌至本周的1.929美元,跌幅0.26%。

02 NAND闪存现货价格

现货市场成交清淡,受国庆假期影响,买家备货意愿未有提升,本周部分供应商明显降价销售,整体市场销售压力仍未缓解,但整体状况仍未见改善,买家采购意愿不强,更加剧了市场供应过剩的局面,512Gb TLC Wafer现货价格本周下跌0.58%,报2.595美元。

存储芯片,尤其是DRAM和NAND闪存的价格持续震荡,正在为众多企业带来运营压力。分析师指出,全球市场需求下滑,再加上供应链中断,以及金融环境的变化,这些都是影响存储芯片市场的重要因素。例如,最近美光科技(Micron)发出警告,未来几个季度营收预期将明显低于分析师的预期,这一消息迅速引发了投资者对存储芯片市场的担忧。

这种悲观情绪不仅限于美光,其它主要存储芯片制造商也同样面临着销售额下滑的困境。芯片的供需关系出现失衡,尤为引人注目的是,随着人工智能、云计算、5G等新兴技术的快速发展,存储需求的结构性变化,使得对高性能存储芯片的需求急剧上升,而传统存储芯片似乎难以跟上这种变化。

9月15日,摩根士丹利发布了一篇名为《凛冬将至》的研究报告,警告人工智能泡沫可能破灭,对SK海力士和三星的前景表示悲观。摩根士丹利的看空理由是通用DRAM需求疲软,AI专用的HBM芯片预计将出现供应过剩。摩根士丹利还在报告中下调了SK海力士的评级至减持,并双双下调了SK海力士和三星电子的目标价。这也导致SK海力士股价在报告发布之后的首个交易日内一度暴跌逾11%,至2月8日以来的最低水平。

摩根士丹利的报告引起业界广泛关注。近日,知名半导体分析师陆行之也发出了看衰存储行业的声音。

消费性电子产品第四季度需求旺季不旺,存储器模组龙头金士顿惊传降价清理库存,锁定中低阶产品甩卖变现。对于金士顿杀价出清是否会引发连锁效应,陆行之表示,库存高达 11 个月的公司非常多,且不只是中低阶产品,点名坐等威刚、创见、群联等三家企业跟进,预计确认库存损失将成为常态。

陆行之在 9 月初警示存储器行业不再持续强周期后,9 月 28 日又在社交平台发文指出,最近观察到除了生产 HBM 的存储器厂商 SK 海力士、美光、三星获利能力有明显回升之外,其他个人电脑 / 消费性电子产品存储器公司,不但近期营业收入不如预期,而且都还在亏损或处于亏损边缘。他先前曾提醒,存储器厂商塞了一堆库存给下游模组厂,让中国台湾地区的存储器模组产业今年第二季度平均库存爆表达 7、8 个月,库存为 9 到 11 个月的公司比比皆是。

一旦传统 DRAM/Flash 价格反转,确认库存损失将成为常态,意思就是非 HBM 存储器公司迄今还没看到上升周期,甚至要小心 12 个月内都不再有上升周期了。果不其然,不到 1 个月,即使靠着 HBM 及数据中心 NAND,美光的数据很好看,但存储器模组龙头金士顿(虽然看不到其库存数据),也受不了手上抱着一堆卖不出去的中低阶消费性存储器库存,而决定降价清理库存。

陆行之表示,接下来就等着看中国台湾地区存储器模组产业的威刚、创见、群联何时跟进,确认库存损失将成为常态。他同时认为,8 到 11 个月的模组存储器库存,绝对不只有中低阶产品,高阶存储器合约价格何时松动,何时模组大厂拒绝来自上游的塞货,将是未来几个月的观察重点。

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