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根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。

3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

1、半导体薄膜沉积设备技术发展情况和趋势

半导体薄膜沉积设备技术的演进路径与半导体器件的大小和结构息息相关。在摩尔定律的推动下，元器件集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小，影响集成电路制造工序愈为复杂，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。这一趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。

（1）半导体领域中PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术相互补充、不断迭代。

常见的半导体领域中薄膜类型主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类。半导体领域薄膜的沉积材料与应用场景复杂多样，伴随制程的演变材料需求增加，推动薄膜沉积工艺和设备的进步。薄膜制备依据的基础原理不同，因此薄膜沉积设备的工艺存在不同的技术路线。物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）三类薄膜沉积技术均为目前半导体领域的主流技术路线，但各技术适用的环节有所不同。在芯片的制造过程中，涉及十余种不同材料的薄膜、数十种工艺类型、上百道工艺环节，需要不同性能和材料的薄膜，因此PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术依靠各自技术特点拓展适合的应用领域，材料制备上相互补充。三种技术本身也随着下游应用需求的提高持续发展。

ALD技术相较于CVD技术和PVD技术，产业化应用起步时间较晚，在45nm以上等成熟制程、2D平面结构器件中应用较少，2007年Intel公司才首次在45nm技术节点上开始应用ALD技术进行薄膜制备，主要由于在先进制程节点下，原来用于成熟制程的溅射PVD、PECVD等工艺无法满足部分工序要求，因此需要引入ALD工艺。ALD技术凭借其原子层级沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、沟槽填充性能极佳等优势，特别适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在45nm以下节点以及3D结构等半导体薄膜沉积环节具有较好的应用前景。半导体制程演进与薄膜沉积技术对应情况如下：

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（2）ALD技术在逻辑芯片、DRAM、3D-NAND、新型存储器、新型半导体材料等重要领域的技术优势明显，应用迅速扩大。

①晶体管结构需要全方位的ALD解决方案

晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。进入45nm制程特别是28nm之后，传统的SiO2栅介质层薄膜材料厚度需缩小至1纳米以下，将产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加、器件性能急剧恶化，业界提出了用高k材料来替代SiO2改善器件性能。HfO2作为栅介质层得到了广泛应用，栅介质层要求厚度原子级别的精确控制及高覆盖率和薄膜均匀性，所以需要ALD技术来进行薄膜沉积。

不同制程下晶体管结构

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资料来源：Lam Research

为了进一步提升器件性能，在半导体制程进入28nm后，由于器件不断微缩且转变为3D结构，如FinFET、GAA等。在标准平面替换闸极技术中，金属栅极堆叠由ALD、PVD以及CVD多种技术沉积金属层结合组成，但器件过渡到FinFET、GAA等三维结构，PVD和CVD则难以达到沉积效果，需要全方位的ALD解决方案。

目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，ALD设备作为技术发展所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14 nm甚至更小的方向升级时，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。

②ALD技术在存储芯片DRAM、3D NAND需求越来越大

随着DRAM存储器容量不断增大，其内部的电容器数量随之剧增，而单个电容器的尺寸将进一步减小，器件内部沟槽以及深孔的深宽比也越来越大。深沟槽将需要更高的薄膜表面积，例如在45nm制程中，沟槽结构深宽比达到100:1，所沉积薄膜的有效面积大约是器件本身表面积的23倍。这些给沉积技术提出了更高的要求。同样地，得益于薄膜以单原子层为量级生长所带来的大面积均匀性、高台阶覆盖率和对膜厚的精确控制，ALD技术能够很好地满足这些要求。

3D NAND结构，内部层数不断增高，元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构，PVD和CVD难以达到沉积效果，ALD则可以实现高深宽比特征下的均匀镀膜。以最具挑战性的向字线中填充导电钨为例：3D NAND交替堆叠氧化物和氮化物介电层，目前层数多达256层。密集排列且具有高深宽比的孔渗透至这些层中，按照高深宽比通道将排列分为字线。为了创建存储单元，必须移除氮化物层并以钨进行替换。这种钨必须通过深（垂直深度50:1）通道引入，然后横向扩散，从而以无孔洞的超共形沉积方式填充（之前的）氮化物水平面（横向比约10:1）。原子层沉积能够一次沉积一个薄层，这就确保了均匀填充，并防止因堵塞而产生的空隙。

3D NAND结构示意图

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资料来源：Lam Research

③ALD技术在新型存储技术迭代和发展中起到重要作用

未来存储器的技术迭代包括进一步发展功耗低、速度快、容量大、记忆时间长的各类新型存储器，如铁电存储器（FeRAM）、阻变存储器（RRAM）等，其所具有的特殊材料和存储结构可在多方面提升存储器性能，也相应的需要更为尖端的薄膜沉积工艺作为支撑。

FeRAM结构示意图

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资料来源：Journal of Advanced Dielectrics

以铁电存储器（FeRAM）为例，其铁电容栅介质层HfO2厚度往往小于5nm且呈现高深宽比结构，同时还需要在其介质中精确掺杂Zr和La来保持界面特性以稳定特定铁电相。利用ALD技术所具有的原子级别的薄膜膜厚和均匀性精确控制、高覆盖率沉积的特点，通过精确控制和调节循环比例（多元掺杂和叠层技术），可以获得目标铁电电容材料HZLO薄膜及原子组成（Hf:Zr:La:O），满足了铁电存储器件制造过程的需要。又比如阻变存储器（RRAM），其是利用金属氧化物材料在外加电场作用下高阻态和低阻态之间的可逆转换实现信息存储，相应金属氧化物材料包括TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5、ZnO等，此类材料在制造过程中对薄膜厚度、均匀性和覆盖率均有较为严格的要求且需要使用各类掺杂工艺，使用ALD技术能够满足相关的需求。

④ALD技术在铟镓锌氧化物（IGZO）等新型半导体材料制备的应用增加

以铟镓锌氧化物（IGZO）作为代表的宽禁带半导体材料，可以有效抑制关态漏电流，具有理想的迁移率、低热预算等优点，在三维堆叠存储器、单片三维集成中具有重要的应用潜力，有助于提高晶体管的集成密度。另外，在显示应用领域，相比传统非晶硅和低温多晶硅晶体管，IGZO薄膜晶体管很好地兼备了高迁移率、大面积成膜均一、低成本且工艺兼容的优势，被大规模地应用在新一代显示驱动领域。制备IGZO的关键是精确控制元素配比和含氧量，其直接影响到器件本身的特性和稳定性。相对于其他工艺方法，通过ALD技术可以获得到具有精确厚度、较低氧缺陷的高性能IGZO薄膜，在复杂结构的尖端器件和新型显示应用中具有良好的应用前景。

基于铟镓锌氧化物（IGZO）材料的薄膜晶体管（TFT）结构示意图

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资料来源：Journal of Semiconductor Technology and Science

综上所述，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。SEMI预计2020年-2025年全球ALD设备市场规模年复合增长率将达到26.3%，在各类关键晶圆生产设备中增速最快。

⑤器件微缩采用的多重曝光技术需要ALD技术

自2011年开始，晶圆代工厂开始采用效率更高、功耗更低的16nm/14nm FinFET晶体管结构，但由于当光罩线宽接近光源波长时将会发生明显的衍射效应，会导致光刻工序的失效。在EUV技术普及之前，目前主流的ArF DUV光刻机（波长193nm）通过浸润、相移掩模、多重曝光等方法，满足28nm以下7nm以上的制程工艺。多重曝光技术是指在现有的光刻机精度下，依次使用不同的掩膜版，分别进行两次及以上的曝光，将一次曝光留下的介质层作为二次曝光的部分遮挡层。在此过程中，由于多重曝光增加了多道薄膜沉积工序，需要薄膜技术具有接近100%的保型性、薄膜厚度控制精准，因此ALD技术被迅速推广应用。

多重曝光技术

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（3）CVD等传统薄膜沉积技术仍具有十分广泛的应用和市场空间

虽然随着ALD技术的发展，其应用范围逐步拓展，但由于芯片的制造过程中，涉及数十乃至百余种不同要求的薄膜材料，各类电性能、机械性能不同的薄膜构成了芯片3D结构体中不同的功能，不同种类的薄膜沉积设备适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求，CVD等传统薄膜沉积设备仍广泛应用于半导体薄膜沉积的各环节，并占据一定的市场空间。根据SEMI和北京欧立信数据显示，在2021年全球各类薄膜沉积设备市场份额中，PECVD、LPCVD等CVD技术仍是薄膜设备中占比最高的设备类型，PECVD占整体薄膜沉积设备市场的33%，LPCVD设备占比约为11%。

其中，PECVD设备是芯片制造的核心设备之一。由于等离子体的作用，可以在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备之一。

再如，LPCVD技术中，反应压强下降到100Torr及以下，分子的自由程与气体扩散系数增大，气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，具备较佳的阶梯覆盖率及很好的组成成份和结构控制。LPCVD设备具有沉积速率快，产能高等特点，且不需要载子气体，大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在芯片制造过程中。

PECVD、LPCVD等CVD设备适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等的不同要求，相关设备覆盖的工艺范围广，应用场景也较多。因国内半导体行业发展较为迅速，且目前CVD的国产化率水平还处于较低水平，国内CVD设备市场具有十分广阔的市场空间。

（4）公司半导体ALD和CVD技术的发展情况

公司半导体ALD和CVD设备的应用场景均代表国内半导体各细分领域的工艺发展方向，在逻辑芯片、存储芯片、新型显示、化合物半导体领域均有设备订单，并已在客户段验收或客户验证，具体情况如下：

①在逻辑芯片领域，已开发的逻辑芯片中高k栅介质层是国内集成电路技术迭代升级要求最高的工艺之一。公司ALD设备凭借原子级别的精确控制及沉积高覆盖率和薄膜的均匀性，制备的高k材料HfO2较好的满足了逻辑器件制造过程的需要，相关设备已取得客户验收，实现产业化应用，并已获得重复订单。同时，公司还在逻辑芯片领域陆续开发新的设备工艺和材料应用。

②在存储芯片领域，ALD设备在高k栅电容介质层、介质覆盖层、电极、阻挡层等工艺中的优势使其被广泛应用于DRAM、3D-NAND、新型存储器等半导体制造领域，未来其在薄膜沉积环节的市场占有率将持续提高。公司应用于该领域的部分设备已进入产业化应用阶段。其中，iTomic 系列单片型ALD设备已获得多种工艺设备的重复订单，且在铟镓锌氧化物（IGZO）等半导体材料以及铁电存储器（FeRAM）等新型存储领域内储备并开发了多种工艺及设备。IGZO相关工艺和设备处于客户测试阶段。FeRAM相关工艺和设备目前正在客户产线进行量产验证，成为国内少数成功量产应用于新型存储器制造生产线的国产薄膜沉积设备之一；iTomic MW系列批量型ALD设备也已获得客户订单，且为国内首台批量型ALD设备在存储芯片制造领域的应用。

CVD设备在DRAM芯片、NAND芯片等领域具有广泛的应用。其中，iTronix系列CVD设备已经在首次出货至客户端进行产业化验证后，获得了行业重要客户的批量重复订单。

③在新型显示芯片领域，公司产品主要应用于硅基OLED的阻水阻氧保护层制备，该类硅基OLED具有尺寸小、便携性等特点，主要用于近眼显示系统和投影显示，市场前景广阔且发展迅速。薄膜沉积环节是影响其量产的关键技术之一。在该领域内，公司已陆续获得了如京东方、合肥视涯、浙江宏禧等新型显示硅基OLED厂商知名客户的订单，并顺利出货。部分产品已获得客户验收，并取得重复订单。

④在化合物半导体领域，化合物半导体的钝化层和过渡层应用化合物半导体功率器件，具有广阔的市场前景。例如，氮化镓器件相对于硅基器件有高频高压的特点，其栅极结构逐渐被V型或深沟槽型结构取代，氮化镓器件的漏电问题也日益突出。ALD技术适合于生长超薄Al2O3、AlN等薄膜作为钝化层和过渡层，可以起到更好的器件漏电抑制效果，保证器件具有良好的漏电和击穿性能。公司应用于该领域的iTomic Lite系列轻型ALD设备产品已获得多个客户订单，部分已取得客户验收，实现产业化应用。

随着逻辑芯片、DRAM、3D-NAND及新型存储器芯片、化合物半导体、新型显示（硅基OLED）等半导体技术的快速发展，下游生产环节对于沉积薄膜的厚度、精度、成分和结构的要求不断提高，对ALD、CVD设备采购需求将会持续增加。公司已经与下游半导体制造厂商就各类尖端应用开展合作，能够满足客户制备高质量薄膜的需求。在国产化进程加快的背景下，随着下游客户逐步达产和半导体各细分领域工艺应用投资规模的扩大，公司产品将具有更广阔的市场前景。

2、光伏薄膜沉积设备技术发展情况

光伏薄膜沉积设备技术的演进路径与光伏电池类型变化相关。太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、XBC电池、钙钛矿等。目前，PERC技术已经非常成熟，TOPCon正逐步成为主流，同时行业内也在积极探索或布局HJT、XBC、钙钛矿等新型光伏电池技术，目前尚处于实验或验证阶段。

光伏领域中薄膜沉积技术以PECVD和ALD为主，综合使用多项技术路线是行业趋势。PECVD技术因其兼容性高，各类型应用前景广泛。ALD技术作为成膜质量最好的技术，随着光伏效率提升对薄膜工艺要求提高，也有更多的应用场景。行业内薄膜设备厂商目前主要以PECVD或ALD技术路线为主，根据各自的技术积累和未来技术方向的专业判断，同时进行多种技术路线的选择和尝试。

公司ALD技术在TOPCon电池中已经取得良好应用，因ALD技术优异的保型性且薄膜材料密度一致，在TOPCon电池具有金字塔绒面的正面Al2O3钝化层制备中，公司的ALD设备正成为主流技术路线。同时，公司还基于PEALD、PECVD等多种真空薄膜技术，开发多款不同技术路线的产品，已推出的PE-ToxPoly设备产业化进展顺利，客户认可度较高，市场占有率快速提升。由公司开发的行业内首条GW级PE-TOPCon工艺整线已经获得客户的验收，带动和引领了行业内TOPCon电池的量产导入。同时，公司还积极地探索开发双面Poly、XBC、异质结/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池方面的技术。

3公司主要会计数据和财务指标

3.1近3年的主要会计数据和财务指标

单位：元币种：人民币

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3.2报告期分季度的主要会计数据

单位：元币种：人民币

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季度数据与已披露定期报告数据差异说明

□适用 √不适用

4股东情况

4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10 名股东情况

单位: 股

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存托凭证持有人情况

□适用 √不适用

截至报告期末表决权数量前十名股东情况表

□适用 √不适用

4.2公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图

√适用 □不适用

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4.3公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图

√适用 □不适用

■

4.4报告期末公司优先股股东总数及前10 名股东情况

□适用 √不适用

5公司债券情况

□适用 √不适用

第三节重要事项

1公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

公司2023年营业收入167,972.13万元，同比增长145.39%；2023年归属于上市公司股东的净利润27,039.19万元，同比增长399.33%；2023年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润18,813.83万元，同比增长849.89%；2023年末公司总资产758,200.60万元，同比增长98.47%；2023年末归属于上市公司股东的净资产234,447.04万元，增长19.45%。

2公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。

□适用 √不适用

证券代码：688147 证券简称：微导纳米公告编号：2024-025

江苏微导纳米科技股份有限公司

关于2023年限制性股票激励计划

首次授予部分第一个归属期归属条件成就的公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

重要内容提示：

● 限制性股票拟归属数量：3,226,150股；

● 归属股票来源:公司向激励对象定向发行A股普通股股票。

一、本次股权激励计划批准及实施情况

（一）本次股权激励计划的主要内容

1、股权激励方式：第二类限制性股票。

2、首次授予数量：1,425.68万股，占公司股本总额45,445.5359万股的3.14%。

3、首次授予价格：A类激励对象5.22元/股，B、C类激励对象17.40元/股。

4、首次授予部分激励人数：322人。

5、激励对象类别：高级管理人员、核心管理人员、核心技术人员、核心骨干人员、中层管理人员及公司董事会认为需要激励的其他人员。

6、激励计划首次授予的限制性股票的归属期限和归属安排具体如下：

本激励计划对首次授予的三类激励对象分别设置了不同的归属安排，具体情况如下：

（1）A、B类激励对象，首次授予的限制性股票的各批次归属安排如下表所示：

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（2）C类激励对象，首次授予的限制性股票的各批次归属安排如下表所示：

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在上述约定期间内未归属的限制性股票或因未达到归属条件而不能申请归属的该期限制性股票，不得归属，作废失效。

7、激励计划首次授予限制性股票归属的业绩考核要求

（1）公司层面业绩考核要求

公司对三类激励对象分别设置了不同的考核安排，具体考核目标如下：

1）A、B类激励对象，首次授予部分的考核年度为2023-2027年五个会计年度，每个会计年度考核一次，根据公司业绩考核指标的完成情况核算各年度公司层面归属比例。首次授予部分公司层面各年度业绩考核目标如下表所示：

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注：上述“营业收入”以经公司聘请的会计师事务所审计的财务报表所载数据为计算依据，下同。

2）C类激励对象，首次授予部分的考核年度为2023-2026年四个会计年度，每个会计年度考核一次，根据公司业绩考核指标的完成情况核算各年度公司层面归属比例。首次授予部分公司层面各年度业绩考核目标如下表所示：

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（2）个人层面绩效考核要求

激励对象个人层面的绩效考核根据公司现行的相关规定组织实施，个人绩效评价标准分为A、B+、B、C、D五个等级，届时根据以下考核评级表中对应的个人层面归属比例确定激励对象实际归属的股份数量：

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如果公司满足当期公司层面业绩考核目标，激励对象当期实际归属的限制性股票数量=个人当期计划归属的股票数量×个人层面归属比例。

激励对象当期计划归属的限制性股票因考核原因不能归属或不能完全归属的，作废失效，不可递延至以后年度。

（二）本激励计划已履行的决策程序和信息披露情况

1、2023年3月13日，公司召开第二届董事会第三次会议，审议通过了《关于公司〈2023年限制性股票激励计划（草案）〉及其摘要的议案》《关于公司〈2023年限制性股票激励计划实施考核管理办法〉的议案》《关于提请股东大会授权董事会办理公司2023年限制性股票激励计划有关事项的议案》等议案。公司独立董事对相关议案发表了同意的独立意见。

同日，公司召开第二届监事会第三次会议，审议通过了《关于公司〈2023年限制性股票激励计划（草案）〉及其摘要的议案》《关于公司〈2023年限制性股票激励计划实施考核管理办法〉的议案》《关于核实公司〈2023年限制性股票激励计划首次授予激励对象名单〉的议案》。公司监事会对本激励计划的相关事项进行核实并出具了相关核查意见。

2、2023年3月14日，公司于上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露了《江苏微导纳米科技股份有限公司2023年限制性股票激励计划首次授予激励对象名单》《江苏微导纳米科技股份有限公司关于独立董事公开征集委托投票权的公告》（公告编号：2023-020）。受公司其他独立董事的委托，独立董事朱和平先生作为征集人就公司2023年第二次临时股东大会审议的本激励计划相关议案向公司全体股东公开征集投票权。

3、2023年3月14日至2023年3月23日，公司对本激励计划拟激励对象名单及职务在公司内部进行了公示。截止公示期满公司监事会未收到任何组织或个人对本次拟激励对象提出的异议。具体内容详见公司于2023年3月24日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的《江苏微导纳米科技股份有限公司监事会关于公司2023年限制性股票激励计划首次授予激励对象名单的公示情况说明及核查意见》（公告编号：2023-022）。

4、2023年3月29日，公司召开2023年第二次临时股东大会，审议通过了《关于公司〈2023年限制性股票激励计划（草案）〉及其摘要的议案》《关于公司〈2023年限制性股票激励计划实施考核管理办法〉的议案》《关于提请股东大会授权董事会办理公司2023年限制性股票激励计划有关事项的议案》。公司实施本激励计划获得股东大会批准，董事会被授权确定限制性股票授予日、在激励对象符合条件时向激励对象授予限制性股票并办理授予限制性股票所必需的全部事宜。次日，公司在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露了《江苏微导纳米科技股份有限公司关于2023年限制性股票激励计划内幕信息知情人及激励对象买卖公司股票情况的自查报告》（公告编号：2023-024）。

5、2023年3月29日，公司召开第二届董事会第四次会议及第二届监事会第四次会议，审议通过了《关于调整2023年限制性股票激励计划首次授予激励对象名单及授予数量的议案》《关于向激励对象首次授予限制性股票的议案》。公司独立董事对相关事项发表了同意的独立意见。公司监事会对本激励计划首次授予的激励对象名单进行核实并发表了核查意见。

6、2024年3月26日，公司第二届董事会薪酬与考核委员会第三次会议审议通过了《关于向2023年限制性股票激励计划激励对象授予预留限制性股票的议案》。2024年3月28日，公司召开第二届董事会第十一次会议及第二届监事会第十次会议，审议通过了《关于向2023年限制性股票激励计划激励对象授予预留限制性股票的议案》。公司监事会对本激励计划预留授予的激励对象名单进行核实并发表了核查意见。

7、2024年4月16日，公司第二届董事会薪酬与考核委员会第四次会议审议通过了《关于2023年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期归属条件成就的议案》及《关于作废2023年限制性股票激励计划部分已授予但尚未归属限制性股票的议案》。2024年4月26日，公司召开第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第十一次会议，审议通过了《关于2023年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期归属条件成就的议案》及《关于作废2023年限制性股票激励计划部分已授予但尚未归属限制性股票的议案》。公司监事会对本激励计划首次授予部分第一个归属期归属人员名单进行核实并发表了核查意见。

（三）限制性股票授予情况

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（四）第二类限制性股票各期归属情况

截至本公告披露日，公司2023年限制性股票激励计划授予的第二类限制性股票尚未归属。

二、第二类限制性股票归属条件说明

（一）首次授予部分第一个归属期归属条件成就说明

1、首次授予部分进入第一个归属期的说明

根据公司《2023年限制性股票激励计划（草案）》（以下简称“《激励计划》”）的规定，首次授予部分第一个归属期为自首次授予之日起12个月后的首个交易日至首次授予之日起24个月内的最后一个交易日止。本激励计划首次授予日为2023年3月29日，本激励计划中的限制性股票于2024年3月29日进入第一个归属期。

2、首次授予部分第一个归属期符合归属条件的说明

本次激励计划首次授予部分第二类限制性股票第一个归属期，激励对象获授的限制性股票需同时满足以下归属条件方可办理归属事宜：

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综上所述，董事会认为《激励计划》首次授予的限制性股票第一个归属期归属条件已经成就，同意公司按照《激励计划》的相关规定为符合条件的295名激励对象办理归属相关事宜，本次可归属数量为3,226,150股。

公司将统一办理激励对象限制性股票归属及相关的归属股份登记手续，并将中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完毕股份变更登记手续当日确定为归属日，归属日需为交易日。

（二）对部分未达到归属条件的限制性股票的处理方法

公司对于部分未达到归属条件的限制性股票作废失效处理，具体内容详见公司同日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的《江苏微导纳米科技股份有限公司关于作废2023年限制性股票激励计划部分已授予但尚未归属限制性股票的公告》（公告编号：2024-024）。

（三）监事会意见

根据《上市公司股权激励管理办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》及公司《2023年限制性股票激励计划（草案）》的相关规定，公司2023年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期归属条件已经成就。因此，监事会同意公司依据2023年第二次临时股东大会的授权，并按照公司《2023年限制性股票激励计划（草案）》的相关规定，为符合条件的295名激励对象办理归属相关事宜，本次可归属数量为3,226,150股。

三、本次归属的具体情况

（一）首次授予日：2023年3月29日。

（二）首次授予第一个归属期归属数量：3,226,150股，约占目前公司股本总额45,445.5359万股的0.71%。

（三）首次授予第一个归属期归属人数：295人。

（四）首次授予价格：A类激励对象5.22元/股，B、C类激励对象17.40元/股。

（五）股票来源：公司向激励对象定向发行的A股普通股股票。

（六）本激励计划首次授予部分第一个归属期可归属具体情况如下：

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注：

1、本激励计划的激励对象不包括独立董事、监事、单独或合计持有公司5%以上股份的股东及上市公司实际控制人的配偶、父母、子女。

2、上表中获授的限制性股票数量为扣减离职、自愿放弃的激励对象已作废全部限制性股票后的数量。

四、监事会对激励对象名单的核查情况

公司2023年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期的公司层面业绩考核目标已达成，除27名激励对象因离职、自愿放弃等原因不符合归属条件外，对公司2023年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期的295名激励对象进行了核查，认为各激励对象个人绩效考核结果合规、真实，激励对象符合《公司法》《证券法》等法律、法规、规范性文件以及《公司章程》规定的任职资格，符合《管理办法》《上市规则》等法律、法规、规范性文件规定的激励对象条件，符合本次激励计划规定的激励对象范围，其作为公司本次限制性股票激励计划激励对象的主体资格合法、有效，本次激励计划首次授予部分的295名激励对象第一个归属期的归属条件已经成就。

五、归属日及买卖公司股票情况的说明

经公司自查，参与本激励计划的高级管理人员在本公告日前6个月不存在买卖公司股票的行为。

六、限制性股票费用的核算说明

公司根据《企业会计准则第11号一一股份支付》和《企业会计准则第22号一一金融工具确认和计量》，确定限制性股票授予日的公允价值，在授予日后不需要对限制性股票进行重新评估，公司将在授予日至归属日期间的每个资产负债表日，根据最新取得的可归属的人数变动、业绩指标完成情况等后续信息，修正预计可归属限制性股票的数量，并按照限制性股票授予日的公允价值，将当期取得的服务计入相关成本或费用和资本公积。

公司在授予日授予限制性股票后，已在对应的等待期根据会计准则对本次限制性股票相关费用进行相应摊销，具体以会计师事务所出具的年度审计报告为准，本次限制性股票归属不会对公司财务状况和经营成果产生重大影响。

七、薪酬与考核委员意见

董事会薪酬与考核委员会认为：根据公司《2023年限制性股票激励计划（草案）》的相关规定，公司本次激励计划首次授予部分第一个归属期的归属条件已经成就，本次符合归属条件的295名激励对象的主体资格合法有效，本次可归属的限制性股票数量为3,226,150股。本次归属安排和审议程序符合《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上市公司股权激励管理办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等法律法规、规范性文件的相关规定，不存在损害公司及股东利益的情形。综上，我们一致同意公司在归属期内实施限制性股票的归属登记。

八、法律意见书的结论性意见

截至本法律意见书出具日，公司本激励计划、本次归属及作废部分限制性股票已获得现阶段必要的批准和授权；本激励计划首次授予的部分限制性股票已于2024年3月29日进入第一个归属期，第一个归属期归属条件已经成就，归属数量、归属人数、授予价格符合《管理办法》及《激励计划（草案）》的相关规定；本激励计划作废部分的限制性股票的作废原因及作废数量符合《管理办法》及《激励计划（草案）》的相关规定。

九、独立财务顾问结论性意见

独立财务顾问认为：截至报告出具日，微导纳米及本次拟归属的激励对象符合公司《激励计划》规定的归属所必须满足的条件，且已经取得必要的批准和授权，符合《公司法》《证券法》以及《管理办法》等法规的相关规定。公司首次授予部分限制性股票的归属尚需按照《管理办法》及公司《激励计划》的相关规定在规定期限内进行信息披露和上海证券交易所办理相应后续手续。

九、上网公告附件

1、《第二届董事会第十二次会议决议》

2、《第二届监事会第十一次会议决议》

3、《监事会关于2023年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期归属名单的核查意见》

4、《德恒上海律师事务所关于江苏微导纳米科技股份有限公司2023年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期归属条件成就暨部分限制性股票作废相关事项的法律意见》

5、《上海荣正企业咨询服务（集团）股份有限公司关于江苏微导纳米科技股份有限公司2023年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期归属条件成就事项之独立财务顾问报告》

特此公告。

江苏微导纳米科技股份有限公司董事会

2024年4月29日

证券代码：688147 证券简称：微导纳米公告编号：2024-026

江苏微导纳米科技股份有限公司

关于召开2023年年度股东大会的通知

本公司董事会及全体董事保证公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

重要内容提示：

● 股东大会召开日期：2024年5月22日

● 本次股东大会采用的网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票系统

一、召开会议的基本情况

（一）股东大会类型和届次

2023年年度股东大会

（二）股东大会召集人：董事会

（三）投票方式：本次股东大会所采用的表决方式是现场投票和网络投票相结合的方式

（四）现场会议召开的日期、时间和地点

召开日期时间：2024年5月22日 14点00分

召开地点：江苏省无锡市新吴区长江南路27号公司会议室

（五）网络投票的系统、起止日期和投票时间。

网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票系统

网络投票起止时间：自2024年5月22日

至2024年5月22日

采用上海证券交易所网络投票系统，通过交易系统投票平台的投票时间为股东大会召开当日的交易时间段，即9:15-9:25,9:30-11:30，13:00-15:00；通过互联网投票平台的投票时间为股东大会召开当日的9:15-15:00。

（六）融资融券、转融通、约定购回业务账户和沪股通投资者的投票程序

涉及融资融券、转融通业务、约定购回业务相关账户以及沪股通投资者的投票，应按照《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号一规范运作》等有关规定执行。

（七）涉及公开征集股东投票权

不涉及。

二、会议审议事项

本次股东大会审议议案及投票股东类型

■

本次股东大会还将听取《独立董事2023年度述职报告》，报告内容已于2024年4月29日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露。

1、说明各议案已披露的时间和披露媒体

本次提交股东大会审议的议案已经公司第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第十一次会议审议通过。相关公告已于2024年4月29日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）及《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券日报》和经济参考网（www.jjckb.cn）予以披露。《2023年年度股东大会会议资料》将于股东大会召开前在上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)登载。

2、特别决议议案：无

3、对中小投资者单独计票的议案：议案4、议案7、议案8、议案9

4、涉及关联股东回避表决的议案：议案7、议案8

应回避表决的关联股东名称：议案7：无锡万海盈投资合伙企业（有限合伙）、无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙）、无锡德厚盈投资合伙企业（有限合伙）、LI WEI MIN、LI XIANG；议案8：潘景伟

5、涉及优先股股东参与表决的议案：无

三、股东大会投票注意事项

（一）本公司股东通过上海证券交易所股东大会网络投票系统行使表决权的，既可以登陆交易系统投票平台（通过指定交易的证券公司交易终端）进行投票，也可以登陆互联网投票平台（网址：vote.sseinfo.com）进行投票。首次登陆互联网投票平台进行投票的，投资者需要完成股东身份认证。具体操作请见互联网投票平台网站说明。

（二）股东所投选举票数超过其拥有的选举票数的，或者在差额选举中投票超过应选人数的，其对该项议案所投的选举票视为无效投票。

（三）同一表决权通过现场、本所网络投票平台或其他方式重复进行表决的，以第一次投票结果为准。

（四）股东对所有议案均表决完毕才能提交。

（五）采用累积投票制选举董事、独立董事和监事的投票方式，详见附件2。

四、会议出席对象

（一）股权登记日下午收市时在中国登记结算有限公司上海分公司登记在册的公司股东有权出席股东大会（具体情况详见下表），并可以以书面形式委托代理人出席会议和参加表决。该代理人不必是公司股东。

■

（二）公司董事、监事和高级管理人员。

（三）公司聘请的律师。

（四）其他人员。

五、会议登记方法

（1）个人股东亲自出席会议的，应出示本人身份证或其他能够表明其身份的有效证件或证明；委托代理人出席会议的，代理人还应出示本人有效身份证件、股东授权委托书。

（2）法人股东应由法定代表人或者法定代表人委托的代理人出席会议。法定代表人出席会议的，应出示本人身份证、能证明其具有法定代表人资格的有效证明；委托代理人出席会议的，代理人还应出示本人身份证、法人股东单位的法定代表人依法出具的书面授权委托书。

（3）合伙企业股东应由执行事务合伙人或者执行事务合伙人委托的代理人出席会议。执行事务合伙人或其委派代表出席会议的，应出示本人身份证、能证明其具有执行事务合伙人或其委派代表资格的有效证明；委托代理人出席会议的，代理人还应出示本人身份证、合伙企业股东单位的执行事务合伙人依法出具的书面授权委托书。

（4）异地股东可以选择电子邮件方式预约登记，请于2024年5月16日17:00之前将前述证明材料扫描件发送至公司邮箱（wen.long@leadmicro.com），并在电子邮件中写明股东姓名、股东账户、联系地址、联系电话，邮件主题请标明“股东大会预约登记”字样。

2、登记时间：2024年5月16日9:00-17:00

3、登记地点：江苏省无锡市新吴区长江南路27号江苏微导纳米科技股份有限公司证券部。

4、出席现场会议的股东和股东代理人请于会议召开前半小时内到达会议地点，并请携带相关证件的原件到场参会。

六、其他事项

1、会议联系方式：

地址：江苏省无锡市新吴区长江南路27号江苏微导纳米科技股份有限公司

邮政编码：214000

联系人：龙文

联系电话：0510-81975986

传真：0510-81163648

邮箱：wen.long@leadmicro.com

2、本次股东大会会期半天，出席者交通、食宿费用自理。

特此公告。

江苏微导纳米科技股份有限公司董事会

2024年4月29日

附件1：授权委托书

附件2：采用累积投票制选举董事、独立董事和监事的投票方式说明

附件1：授权委托书

授权委托书

江苏微导纳米科技股份有限公司：

兹委托先生（女士）代表本单位（或本人）出席2024年5月22日召开的贵公司2023年年度股东大会，并代为行使表决权。

委托人持普通股数：

委托人持优先股数：

委托人股东帐户号：

■

委托人签名（盖章）：受托人签名：

委托人身份证号：受托人身份证号：

委托日期：年月日

备注：

委托人应在委托书中“同意”、“反对”或“弃权”意向中选择一个并打“√”，对于委托人在本授权委托书中未作具体指示的，受托人有权按自己的意愿进行表决。

附件2：采用累积投票制选举董事、独立董事和监事的投票方式说明

一、股东大会董事候选人选举、独立董事候选人选举、监事会候选人选举作为议案组分别进行编号。投资者应针对各议案组下每位候选人进行投票。

二、申报股数代表选举票数。对于每个议案组，股东每持有一股即拥有与该议案组下应选董事或监事人数相等的投票总数。如某股东持有上市公司100股股票，该次股东大会应选董事10名，董事候选人有12名，则该股东对于董事会选举议案组，拥有1000股的选举票数。

三、股东应以每个议案组的选举票数为限进行投票。股东根据自己的意愿进行投票，既可以把选举票数集中投给某一候选人，也可以按照任意组合投给不同的候选人。投票结束后，对每一项议案分别累积计算得票数。

四、示例：

某上市公司召开股东大会采用累积投票制对进行董事会、监事会改选，应选董事5名，董事候选人有6名；应选独立董事2名，独立董事候选人有3名；应选监事2名，监事候选人有3名。需投票表决的事项如下：

■

某投资者在股权登记日收盘时持有该公司100股股票，采用累积投票制，他（她）在议案4.00“关于选举董事的议案”就有500票的表决权，在议案5.00“关于选举独立董事的议案”有200票的表决权，在议案6.00“关于选举监事的议案”有200票的表决权。

该投资者可以以500票为限，对议案4.00按自己的意愿表决。他（她）既可以把500票集中投给某一位候选人，也可以按照任意组合分散投给任意候选人。

如表所示：

■

证券代码：688147 证券简称：微导纳米公告编号：2024-019

江苏微导纳米科技股份有限公司

关于2023年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

一、募集资金基本情况

（一）实际募集资金金额、资金到账时间

根据中国证券监督管理委员会于2022年11月7日出具的《关于同意江苏微导纳米科技股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可〔2022〕2750号），公司首次公开发行人民币普通股（A股）4,544.5536万股，发行价格为每股人民币24.21元，募集资金总额为1,100,236,426.56元，扣除发行费用（不含增值税）人民币76,765,068.38元，实际募集资金净额为人民币1,023,471,358.18元。

本次募集资金到账时间为2022年12月20日，本次募集资金到位情况已经天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）审验，并于2022年12月20日出具天职业字[2022]46404号验资报告。

（二）本年度使用金额及年末余额

截至2023年12月31日，公司募集资金使用及结余情况如下：

单位：元

■

注：总数与各分项数值之和尾数不符的情况，为四舍五入原因造成。

二、募集资金管理情况

（一）募集资金管理制度情况

公司已按照《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上市公司监管指引第2号一上市公司募集资金管理和使用的监管要求》等相关规定的要求制定了《募集资金管理制度》，对募集资金实行专户存储制度，对募集资金的存放、使用、项目实施管理、投资项目的变更及使用情况的监督等进行了规定。《募集资金管理制度》经公司2020年第一次临时股东大会审议通过，2023年第一次临时股东大会修订。根据《募集资金管理制度》要求，公司董事会批准开设了上海浦东发展银行股份有限公司无锡分行新区支行、中国光大银行股份有限公司无锡分行及中信银行无锡滨湖支行专项账户，仅用于公司募集资金的存储和使用，不用作其他用途。

（二）募集资金三方监管协议情况

根据上海证券交易所及有关规定的要求，公司及保荐机构浙商证券股份有限公司已于2022年12月20日与上述银行签订了《募集资金三方监管协议》（以下简称“三方监管协议”）。三方监管协议与上海证券交易所三方监管协议范本不存在重大差异。截至2023年12月31日，三方监管协议得到了切实履行。

（三）募集资金专户存储情况

截至2023年12月31日，募集资金存放专项账户的存款余额如下：

单位：元

■

三、本年度募集资金的实际使用情况

（一）募集资金投资项目的资金使用情况

2023年度，公司实际投入相关项目的募集资金款项共计73,252.91万元，具体请见附件1：募集资金使用情况对照表。

（二）募投项目及发行费用的预先投入及置换情况

为保障募投项目的顺利推进，公司在募集资金到账之前已使用自筹资金预先投入部分募投项目。公司于2023年1月18日召开第二届董事会第二次会议和第二届监事会第二次会议，审议通过了《关于使用募集资金置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金的议案》，同意公司使用募集资金置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金合计人民币2,436.75万元。其中，自筹资金预先投入募投项目的金额为2,178.24万元，自筹资金预先支付发行费用的金额为258.51万元。公司独立董事、监事会发表了明确同意意见，天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）对上述事项出具了专项鉴证报告，保荐机构浙商证券股份有限公司对上述事项出具了明确同意的核查意见。

（三）使用闲置募集资金暂时补充流动资金情况

2023年度，公司不存在使用闲置募集资金暂时补充流动资金情况。

（四）使用闲置募集资金进行现金管理的情况

为提高募集资金使用效率和收益，公司在不影响募集资金投资计划正常进行以及确保募集资金安全的前提下，合理利用部分暂时闲置募集资金进行现金管理。公司于2023年1月18日召开第二届董事会第二次会议和第二届监事会第二次会议，审议通过了《关于使用部分闲置募集资金进行现金管理的议案》，同意公司在确保不影响募集资金安全和投资项目资金使用进度安排的前提下，使用不超过人民币8亿元（含本数）的暂时闲置募集资金进行现金管理，用于购买安全性高、流动性好、满足保本要求的投资产品（包括但不限于结构性存款、大额存单等），且投资品种不得用于质押，不用于以证券投资为目的的投资行为。在上述额度范围内，资金可以循环滚动使用，使用期限不超过董事会审议通过之日起12个月。董事会授权公司管理层在授权额度和期限内行使现金管理投资决策权并签署相关合同文件，具体事项由公司财务部负责组织实施。公司独立董事、监事会发表了明确的同意意见，保荐机构浙商证券股份有限公司对上述事项出具了明确同意的核查意见。

公司于2023年12月18日召开第二届董事会第九次会议和第二届监事会第九次会议，审议通过了《关于使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的议案》，同意公司在确保不影响募集资金安全和投资项目资金使用进度安排的前提下，使用不超过人民币2亿元（含本数）的暂时闲置募集资金进行现金管理，用于购买安全性高、流动性好、满足保本要求的投资产品（包括但不限于结构性存款、大额存单等），且投资品种不得用于质押，不用于以证券投资为目的的投资行为。在上述额度范围内，资金可以循环滚动使用，使用期限不超过董事会审议通过之日起12个月。董事会授权公司管理层在授权额度和期限内行使现金管理投资决策权并签署相关合同文件，具体事项由公司财务部负责组织实施。公司独立董事、监事会发表了明确的同意意见，保荐机构浙商证券股份有限公司对上述事项出具了明确同意的核查意见。

截至2023年12月31日，公司使用闲置募集资金现金管理余额为15,000.00万元，具体情况如下：

单位：人民币万元

■

（五）使用超募资金永久补充流动资金或归还银行贷款情况

2023年度，公司不存在使用超募资金永久补充流动资金或归还银行贷款情况。

（六）使用超募资金用于在建项目及新项目（包括收购资产等）的情况

2023年度，公司不存在使用超募资金用于在建项目及新项目（包括收购资产等）的情况。

（七）募集资金投资项目的实施地点、实施方式变更情况

根据公司整体规划和实际经营发展需要，公司拟扩大办公场地并新租赁办公地点，为便于募投项目实施和统一管理，本次募投项目实施地点拟同步进行变更。公司于2023年1月18日召开第二届董事会第二次会议和第二届监事会第二次会议，审议通过了《关于变更募集资金投资项目实施地点的议案》，根据公司整体规划和实际经营发展需要，公司拟将首次公开发行股票募集资金投资项目实施地点进行变更。具体内容详见公司于2023年1月19日披露于上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）的《关于变更募集资金投资项目实施地点的公告》（公告编号：2023-009）。公司独立董事、监事会发表了明确的同意意见，保荐机构浙商证券股份有限公司对上述事项出具了明确同意的核查意见。

（八）节余募集资金使用情况

2023年度，公司不存在节余募集资金使用情况。

四、变更募集资金投资项目的资金使用情况

2023年度，公司不存在变更募集资金投资项目的情况。

五、募集资金使用及披露中存在的问题

2023年度，公司已按照《上市公司监管指引第2号一一上市公司募集资金管理和使用的监管要求》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号一一规范运作》及公司《募集资金管理制度》等法律法规和制度文件的规定，真实、准确、完整、及时地披露了募集资金存放与使用的具体情况，不存在违规使用募集资金的情形。

六、会计师事务所对公司年度募集资金存放与使用情况出具的鉴证报告的结论性意见

天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）出具了《募集资金存放与实际使用情况鉴证报告》（天职业字〔2024〕23918-2号），会计师事务所认为：公司《2023年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告》按照中国证监会《上市公司监管指引第2号一一上市公司募集资金管理和使用的监管要求》、上海证券交易所颁布的《上海证券交易所科创板上市公司自律监管规则适用指引第1号一一规范运作》及相关格式指引规定编制，在所有重大方面公允反映了公司2023年度募集资金的存放与使用情况。