天岳先进:公司为新能源汽车领域提供高品质衬底材料,碳化硅MOSFET量产的耐压可达3300V

天岳先进:公司为新能源汽车领域提供高品质衬底材料,碳化硅MOSFET量产的耐压可达3300V
2024年03月22日 18:10 金融界网站

转自:金融界

本文源自:金融界AI电报

金融界3月22日消息,有投资者在互动平台向天岳先进提问:董秘你好,贵公司产品有直接或者间接用在国内外800v到1000v碳化硅平台的新能源汽车吗?

公司回答表示:碳化硅半导体材料因为本身优异的物理性能,在新能源汽车领域受到关注。目前碳化硅MOSFET量产的耐压可达3300V,最高耐压超过6500V。因此在新能源800V平台上,碳化硅将发挥出显著优势。目前公司为行业提供高品质衬底材料,是制备高性能器件的基础。

海量资讯、精准解读,尽在新浪财经APP

VIP课程推荐

加载中...

APP专享直播

1/10

热门推荐

收起
新浪财经公众号
新浪财经公众号

24小时滚动播报最新的财经资讯和视频,更多粉丝福利扫描二维码关注(sinafinance)

股市直播

  • 图文直播间
  • 视频直播间

7X24小时

  • 04-01 宏鑫科技 301539 --
  • 03-29 灿芯股份 688691 --
  • 03-25 中瑞股份 301587 21.73
  • 03-22 广合科技 001389 17.43
  • 03-20 芭薇股份 837023 5.77
  • 新浪首页 语音播报 相关新闻 返回顶部