杭州士兰微电子股份有限公司 2024年半年度业绩预告

杭州士兰微电子股份有限公司 2024年半年度业绩预告
2024年07月11日 00:00 中国证券报-中证网

  本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。

  重要内容提示:

  ●  本期业绩预告适用情形:净利润为负值

  ●  杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称“公司”)预计2024年半年度实现归属于母公司所有者的净利润为-3,000万元到-2,000万元,与上年同期相比,将减少亏损1,122万元到2,122万元。

  ●  公司预计2024年半年度实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润为12,189万元到13,189万元。

  ●  本期业绩出现亏损的主要原因系公司持有的其他非流动金融资产中昱能科技安路科技股票价格下跌,导致其公允价值变动产生税后净收益-16,217万元。

  一、本期业绩预告情况

  (一)业绩预告期间

  2024年1月1日至2024年6月30日。

  (二)业绩预告情况

  1、经公司财务部门初步测算,预计2024年半年度实现归属于母公司所有者的净利润为-3,000万元到-2,000万元,与上年同期相比,将减少亏损1,122万元到2,122万元。

  2、预计2024年半年度实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润为12,189万元到13,189万元,与上年同期相比,将减少3,070万元到4,070万元,同比减少19%到25%。

  (三)本期预计业绩未经注册会计师审计。

  二、上年同期经营业绩和财务状况

  (一)归属于母公司所有者的净利润:-4,121.89万元。

  归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润:16,259.23万元。

  (二)每股收益:-0.03元。

  三、本期业绩变动的主要原因

  1、报告期内,公司持有的其他非流动金融资产中昱能科技、安路科技股票价格下跌,导致其公允价值变动产生的税后净收益为-16,217万元。

  2、报告期内,公司持续加大模拟电路、IGBT器件、IPM智能功率模块、PIM功率模块、碳化硅功率模块、超结MOSFET器件、MCU电路、化合物芯片和器件等产品在大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场的推广力度,公司总体营收较去年同期增长约18%。但同时,由于下游电动汽车、新能源市场竞争加剧,导致部分产品价格下降较快,产品毛利率降低。对此,公司进一步推出更高性能和更优成本的产品,积极扩大市场份额。

  3、报告期内,公司子公司士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线尚处于产能爬坡阶段,SiC芯片产出相对较少,资产折旧等固定生产成本相对较高,导致其亏损较大。目前士兰明镓SiC芯片生产线已处于较快上量中,随着产出持续增加,预计其下半年亏损将逐步减少。

  4、报告期内,公司持续加大对模拟电路、功率器件、功率模块、MEMS传感器、碳化硅MOSFET等新产品的研发投入,加快汽车级、工业级电路和器件芯片工艺平台的建设进度,加大汽车级功率模块和新能源功率模块的研发投入,公司研发费用较去年同期增加34%左右。

  四、风险提示

  公司本次预计业绩未经注册会计师审计。公司基于自身专业判断进行初步测算,不存在影响本次业绩预告内容准确性的重大不确定因素。

  五、其他说明事项

  以上预告数据仅为初步核算数据,具体准确的财务数据以公司正式披露的2024年半年度报告为准,敬请广大投资者注意投资风险。

  特此公告。

  杭州士兰微电子股份有限公司

  董事会

  2024年7月11日

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