突破！三星拟采用长江存储NAND闪存混合键合专利技术

上个月的消息显示，长江存储已开始供应其第五代3D TLC NAND闪存产品。这款闪存共有294层结构，其中包含232个有源层。通过技术升级，长江存储成功将存储密度提升至与行业领先水平相当的高度，并实现了目前商业产品中最高的垂直栅密度，进一步巩固了其在全球NAND闪存市场的竞争力。

根据市场研究机构的报告，三星计划从第10代V-NAND闪存开始引入长江存储的混合键合技术专利。预计三星将在2025年下半年启动该产品的量产工作，届时其总层数将达到420至430层。与此同时，还有消息称，SK海力士也在与长江存储就专利协议进行协商。

大约四年前，长江存储首次在其3D NAND闪存中应用了名为“晶栈（Xtacking）架构”的混合键合技术，并逐步构建起一套强大的专利体系。在此之前，三星的NAND闪存采用的是COP（Cell-on-Periphery）结构，即将外围电路置于单独的晶圆上，随后在其上方堆叠存储单元。然而，当堆叠层数超过400层时，底层外围电路可能因承受过大压力而影响整体可靠性。通过采用混合键合技术，三星能够消除对凸点连接的需求，缩短电路路径，从而有效提升性能并改善散热表现。

当前，混合键合技术的主要专利持有者包括Xperi、长江存储和台积电。三星选择与长江存储合作的原因在于，未来开发的第11代和第12代V-NAND闪存将难以避开长江存储所掌握的核心专利技术。