2月22日，三星在国际固态电路会议上发布了一项基于LPDDR5标准的全新技术——LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。这款DRAM芯片采用了1.05V的标准电压，并运用了三星第五代10纳米级DRAM制造工艺，能够实现最高达12700 MT/s的数据传输速率，这一成绩刷新了LPDDR5X此前创下的纪录。
为实现如此高的传输速度，三星引入了两项核心的电路级技术：“四相自校准环路”与“AC耦合收发器均衡技术”。其中，“四相自校准环路”能够确保DRAM内部四个时钟相位（0°、90°、180°、270°）在高速数据传输过程中保持精准对齐。由于细微的相位偏差可能对时序和性能造成影响，三星的这项技术通过测量各相位对（例如0°与180°、90°与270°）之间的偏差，并经过“翻转”和“不翻转”两步比较，自动补偿真实的时钟相位误差，从而确保各相位整齐均匀，维持稳定的时钟信号。
此外，三星还详细介绍了“AC耦合收发器均衡技术”。在高速数据传输中，信号往往容易受到衰减和码间串扰的影响。为应对这一挑战，三星通过增强时钟信号、优化接收器均衡以及对发射器进行预加重等手段，确保信号在整个传输过程中始终保持高质量。这一技术不仅满足了JEDEC对LPDDR5X在数据传输和功耗方面的标准要求，甚至还实现了超越。
根据三星的技术报告，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片在1.05V电压下能够达到最高12700 MT/s的数据传输速率。而在10700 MT/s的运行条件下，该芯片仍可在0.9V以上的电压范围内保持良好的稳定性。三星表示，这一结果充分验证了其内存产品技术的可靠性与先进性。
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