认证通过!英伟达批准三星8层HBM3E存储芯片

认证通过!英伟达批准三星8层HBM3E存储芯片
2025年01月31日 22:18 快科技

快科技1月31日消息,据报道,知情人士透露,三星电子已获得批准向英伟达供应其第五代高带宽存储芯片的一个版本。

三星的8层HBM3E(一种较低级的HBM3E品种)据悉于12月获得英伟达的批准。三星和英伟达的代表拒绝置评。

据悉,HBM(High Bandwidth Memory)是一种高带宽内存标准,主要用于满足日益增长的计算需求。相比传统内存,HBM可以提供更高的数据传输速率和更低的延迟。

HBM3E是最新的HBM技术标准,主要用于满足如人工智能、机器学习等对于海量数据处理的需求。

英伟达作为全球领先的AI和深度学习技术提供商,与三星的合作显示了两家企业在技术上的高度契合。通过结合英伟达的计算平台与三星的存储技术,双方将进一步打破计算能力的瓶颈。这种合作不仅将促进更快的AI模型训练和推理,也会让新型应用,如自动驾驶、智能IoT设备等成为可能。

市场研究显示,全球人工智能芯片市场预计将在未来几年内以超过20%的年均增长率增长。这一背景下,英伟达的批准无疑将为三星打开更为广阔的市场前景,使其在高性能计算市场中占据更加重要的地位。

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技责任编辑:鹿角文章内容举报

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:鹿角

新浪科技公众号
新浪科技公众号

“掌”握科技鲜闻 (微信搜索techsina或扫描左侧二维码关注)

网友评论
最热评论
--------

官方微博

新浪科技 新浪数码 新浪手机 科学探索 苹果汇 新浪众测

公众号

新浪科技

新浪科技为你带来最新鲜的科技资讯

苹果汇

苹果汇为你带来最新鲜的苹果产品新闻

新浪众测

新酷产品第一时间免费试玩

新浪探索

提供最新的科学家新闻,精彩的震撼图片