三星电子宣布,其首款1TB四层单元(QLC)第九代V-NAND闪存已经正式开始量产。同时,1TB TLC产品也在今年4月开始量产。
这款QLC第九代V-NAND采用了多项技术突破。首先是通道孔蚀刻技术(Channel Hole Etching),它能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。通过在TLC第九代V-NAND中应用这一技术,三星优化了存储单元面积及外围电路,使其位密度比上一代QLC V-NAND提高了约86%。
其次是预设模具(Designed Mold)技术,它能够调整控制存储单元的字线(WL)间距,以确保同一单元内和单元之间的存储单元的特性保持一致。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提高约20%,从而增强了可靠性。
另外还有预测程序(Predictive Program)技术,它能够预测并控制存储单元的状态变化,尽可能减少不必要的操作。这一技术让三星QLC第九代V-NAND的写入性能翻倍,并且I/O速度提升了60%。
此外,三星还表示将扩大QLC第九代V-NAND的应用范围,从品牌消费类产品开始,扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD,并为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
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