根据韩国经济新闻的报道，三星电子已经决定在下一代HBM内存（HBM4）中采用自家的4nm工艺制造逻辑芯片。这种工艺使得Logic Die能够支持更多的信号引脚和更大的数据带宽，并且还能承载部分客户定制功能。因此，存储厂商开始选择与逻辑晶圆厂合作，在逻辑半导体工艺下生产HBM4所需的Logic Die。
此次三星电子将使用自家的4nm工艺制造Logic Die是为了提高HBM4内存的综合能效并提升产品竞争力。此外，精细的4nm工艺也为各种定制功能的引入提供了更多空间。值得注意的是，三星电子在产品中引入LSI部门先进工艺并非没有先例：面向OEM端消费级固态硬盘PM9C1a就配备了LSI代工的5nm主控。
值得一提的是，三星电子存储部门此次引进自家先进工艺制造Logic Die不仅可以带来经济效益，同时也有助于促进内部协同工作。对于存储行业而言，采用先进的逻辑芯片制造工艺可以带来更高的性能和更好的兼容性。
综上所述，三星电子将在下一代HBM内存中采用自家的4nm工艺制造逻辑芯片，以提高产品竞争力并为内部各部门提供支持。这一举措不仅带来了经济效益，还促进了内部协同工作。
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