三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。
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目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。
最新消息是，KAIST的研究人员探索了一种新的解决方案——利用铪铁电体的铁电特性来开发更小、更高效的电容器和存储设备，有助于三星实现千层NAND技术，使PB级固态硬盘（SSD）目标不远。
尽管三星并没有直接参与研发，但市场消息称与其有直接关系，虽然还不能确定Hafnia Ferroelectrics是否会导致PB级存储器设备诞生，但可能发挥主导作用，最终达到里程碑。
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