拼命追赶还是惨输台积电 三星3纳米最新良率曝光

台积电的先进制程技术遥遥领先其他竞争对手，也获得全球大客户肯定。不过南韩三星电子仍努力追赶，想要分一杯羹。据最新爆料，三星的3纳米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后台积电。

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科技网站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平台X（前身为推特）的发文报导，三星的3纳米制程良率一开始虽然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。

尽管三星如今3纳米制程良率已达30~60%之间，但Revegnus直言，相较于使用FinFET制程的台积电，三星的良率数据依然偏低。不过三星对于第二代3纳米制程寄予厚望，据传其效能、功耗及面积（Performance、Power、Area；PPA）相当于台积电的N3P。

Revegnus还表示，据消息人士透露，三星3纳米制程的能源效率、逻辑区域，都较4纳米4纳米FinFET改善20～30%。

[Exclusive] Samsung's 3nm Yield-related News

Currently, Samsung's 3nm yield, which initially hovered around 10-20%, has recently improved by over threefold.

Of course, this figure remains lower compared to TSMC, which still utilizes FinFET technology.

However, Samsung has high…

— Revegnus (@Tech_Reve) March 22, 2024

不过Wccftech在报导中直言，随着台积电今年积极将3纳米晶圆产能扩大到每月约10万片的规模，三星几乎没有机会赶上，「在过去的几年里，这家台湾半导体巨头（台积电）在这个领域几乎看不到竞争」。

报导中指出，三星必须将良率进一步提高70%，才能重拾高通等先前客户的信心。不过到目前为止，三星的3纳米GAA芯片只有加密挖矿行业客户的订单，并没有加入更多其他客户。很可能是因为许多公司对三星的早期样品印象不佳，因此决定在可预见的未来继续使用台积电。三星虽仍致力于做出调整，但要对其代工劲敌台积电构成威胁还需要一段时间。