在桥式结构中的注意事项 — 探头的CMRR_新浪科技

在对桥式结构中的高边（HS）MOSFET进行测试时，通常使用高压差分探头或差分探头（*4）来观测波形，但所用探头的共模抑制比在高频区域可能会降低，波形波动可能会增加。尤其是在测量栅-源电压VGS时，涉及到测量几伏级的浪涌，因此需要区分观测到的波形是原始波形还是CMRR不足引起的波动波形。

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关键要点

・在对桥式结构中的HS MOSFET进行测试时，所用探头的共模抑制比在高频区域可能会降低，波形波动可能会增加。

・尤其是在测量VGS时，涉及到测量数伏级的浪涌，因此需要区分观测到的波形是原始波形还是CMRR不足引起的波动波形。

・光隔离差分探头的CMRR频率特性非常好，可观测到原始波形。

SiC MOSFET栅-源电压测量：在桥式结构中的注意事项探头的CMRR

在对桥式结构中的高边（HS）MOSFET进行测试时，通常使用高压差分探头或差分探头（*4）来观测波形，但所用探头的共模抑制比（CMRR）在高频区域可能会降低，波形波动可能会增加。尤其是在测量栅-源电压VGS时，涉及到测量几伏级的浪涌，因此需要区分观测到的波形是原始波形还是CMRR不足引起的波动波形。

图1为在桥式结构中HS开关时和LS开关时的波形比较。所用的差分电压探头是日本横河（YOKOGAWA）公司生产的701297（150MHz，1400V）。通过对比波形可以看出，LS开关时的换流侧（HS）VGS波动较大。这是由于当换流侧以20～50V/ns的高速dV/dt变化时，探头的CMRR降低而引起的。

图1. HS开关时和LS开关时的VGS波形比较

图2是旨在确认这个原理而对差分电压探头的CMRR性能进行测试的结果。该测试是将电压探头头部的正极和负极分别连接到HS和LS的Driver Source引脚进行测试的。这种测试方法在泰克（Tektronix）的应用指南“ABCs of Probes”(*5)中有详细介绍，请参考。

图2.隔离型电压探头的CMRR性能

在图2中，导通时和关断时的波形中，在Driver Source引脚的电位处，HS和LS均在开关时出现电压波动。然而，在开关动作结束后，LS恢复到了开关前的状态，而HS则残留了一定电位。这就是造成CMRR误差的原因。这种残余电位会随着时间的流逝（数微秒）而消失。在本次测试中，Driver Source引脚的电位在VDS上升时向负侧变化，在VDS下降时向正侧变化，不过受差分探头特性的影响，有时也会向相反的方向变化。最近，测量设备制造商推出了一种光隔离差分探头，它不受CMRR的影响，作为可以准确测量波形的有效解决方案而备受关注。

下面介绍一下光隔离差分探头与普通高压差分探头之间的性能差异。光隔离差分探头是采用泰克（Tektronix）IsoVu®技术的、由泰克生产的产品（TIVH08、MMCX50X）。

用于测试的电路板（P02SCT3040KR-EVK-001）上，有用来安装MMXC连接器的图案，该连接器可以连接光隔离探头。如图3所示，在测试时，同时连接了光隔离探头和普通的高压差分探头。正如此前介绍过的，为了尽可能地消除测量位置和差分电压探头的安装位置对波形造成的影响，电压探头的测量位置是在SiC MOSFET正下方焊接了一根短的延长线，并连接了一个100Ω的阻尼电阻。图4为两种探头的栅-源电压VGS波形。