用平面 CMOS 实现 7nm，欧洲斥资 8.3 亿欧元建设 FAMES FD-SOI 中试线

IT之家 6 月 25 日消息，法国 CEA-Leti 研究所正式宣布牵头建设代号 FAMES 的 FD-SOI 中试线，该项目整体投资达 8.3 亿欧元（IT之家备注：当前约 64.74 亿元人民币）。

CEA-Leti 研究所是法国原子能和替代能源委员会下属机构，也是 FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅的发明单位。

FD-SOI 是一项平面 COMS 技术，采用了与先进制程领域流行的 FinFET 三维晶体管不同的技术路线：

FD-SOI 工艺在基底硅的顶部掩埋一层超薄氧化物绝缘体，降低了源极和漏极之间的寄生电容，并有效地限制了从源极流向漏极的电子，显著降低了影响性能的漏电流效应。

▲ FD-SOI 晶体管结构。图源意法半导体

FAMES 是欧洲芯片联合企业 Chip JU 指定的四条先进半导体中试线项目之一，其它项目还包括比利时 imec 牵头的 NanoIC 亚 2nm 制程 SoC 中试线等。

FAMES FD-SOI 中试线将开发以下五套新技术：

• 10nm、7nm 两个制程节点的 FD-SOI 工艺；

• 多种 eNVM 嵌入式非易失性存储，包含 OxRAM、FeRAM、MRAM 和 FeFET；

• 开关、滤波器、电容器等射频元件；

• 异构集成和顺序集成这两种 3D 集成工艺；

• 用于开发 PMIC 电路上 DC-DC 转换器的小型电感器。

这五套技术将为低功耗 MCU、MPU、尖端 AI / ML 设备、射频设备、5G / 6G 芯片、车用芯片、智能传感器等创造市场机遇。

CEA-Leti 首席技术官让-勒内-莱克佩斯 (Jean-RenéLèquepeys) 表示：

通过整合和结合一系列尖端技术，FAMES 中试线将为颠覆性的 SoC 架构打开大门，并为未来芯片提供更智能、更环保和更高效的解决方案。

FAMES 项目将特别关注半导体的可持续发展挑战。

CEA-Leti 表示 FAMES FD-SOI 中试线项目已获得至少 43 家“电子系统价值链”企业的支持，合作伙伴将包括比利时 imec，德国弗劳恩霍夫应用促进协会等欧洲多国重要研究机构。

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