扬杰科技获得发明专利授权：“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”|扬杰科技_新浪财经

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”，专利申请号为CN201911209587.6，授权日为2024年5月10日。

专利摘要：一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构、涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。提供了一种方便检测，提供检测可靠性的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的塑封层，所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、制作在衬底底面上的绝缘层、制作在绝缘层上的电极层，所述衬底的材料为单晶硅。本发明的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构的制备工艺与常规氮化镓MOSFET芯片制备和封装工艺兼容，制备过程简单易行。

今年以来扬杰科技新获得专利授权33个，较去年同期增加了83.33%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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